Поверхностная акустическая волна

Cтраница 2

Схематическое изображение фильтра на поверхностных акустических волнах: / - звукопровод; 2-акустический поглотитель; 3 - нагрузка; 4 - аподизованнцй встречно-штыревой преобразователь ( выходной); 5 - встречно-штыревой преобразователь с емкостным взвешиванием электродов ( входной); 6 - генератор электромагнитных колебаний. [16]

Описанные эффекты характерны и для поверхностных акустических волн, упругая анизотропия к-рых сказывается на их структуре: в зависимости от среза кристалла и от направления распространения поверхностной волны в плоскости этого среза изменяются характер движения частиц среды в волне вблизи границы кристалла ( форма траекторий, их ориентация относительно поверхности кристалла) и глубина проникновения волны в глубь кристалла. [17]

Вопросы теории н практического использования поверхностных акустических волн: Межведом, сб. [18]

Большое внимание было уделено исследованию взаимодействия поверхностных акустических волн со световыми волнами. Такие волны рассеивают световой пучок подобно дифракционной решетке. Поскольку угол отклонения светового луча связан с частотой ПАВ, данный метод позволяет измерять частоту. На этом принципе работает измеритель частоты, известный под названием брегговской ячейки; в нем электрический сигнал, частоту которого необходимо измерить, с помощью ВШП преобразуется в поверхностную акустическую волну. [19]

Новым этапом в развитии акустоэлектроники является использование поверхностных акустических волн. Поверхностные волны обладают всеми свойствами объемных волн, доступны для воздействия на всем пути их распространения вдоль линии, а технология изготовления ультразвуковых линий с поверхностными волнами совместима с технологией изготовления интегральных микросхем. [20]

Описываются модели и методы синтеза фильтров на поверхностных акустических волнах по заданным частотным характеристикам. Рассматриваются вопросы конструирования таких фильтров, практические вопросы технологии изготовления звукопроводов и структур, преобразователей фильтров, анализируется влияние производственных погрешностей на их выходные параметры. Описываются принципы построения систем автоматизированного проектирования и изготовления таких фильтров. [21]

Эта функция может служить хорошей аппроксимацией распределения источников поверхностных акустических волн, необходимой для расчета амплитуды волны, возбуждаемой ВШП. Эта процедура необходима для вычисления уровня побочных максимумов АЧХ. Плотность заряда на каждом электроде может рассматриваться как источник ПАВ, связанной с электродом; однако распределение зарядов зависит от конфигурации соседних электродов, что, в свою очередь, сказывается на амплитуде возбуждаемой ПАВ. Этот эффект соседних электродов можно явно учесть при определении составляющей ПАВ, возбуждаемой каждым элементом многоэлектродного ВШП, поэтому он не требует отдельного рассмотрения. [22]

В качестве избирательной системы в микросборке используется фильтр поверхностных акустических волн ПАВ. [23]

Зависимость Q П ( С и результаты решения уравнения. [24]

Соотношение (2.225) определяет, при каком условии для поверхностной акустической волны Рэлея ( ПАВР), распространяющейся под любым углом к главным осям, акустоупругии эффект не наблюдается, т.е. относительное изменение скорости равно нулю. [25]

АКУСТОЭЛЕКТРОННЫЙ ГЕНЕРАТОР - устройство, предназначенное для генерации объемных и поверхностных акустических волн; действие основано на усилении упругих возмущений дрейфующими носителями заряда ( электронами проводимости) в твердых телах. [26]

Акустооптическая брэгговская дифракция направляемых волн на двух наклонных поверхностных акустических волнах. [27]

Недавно была продемонстрирована [11] возможность брэгговского взаимодействия между поверхностными акустическими волнами и оптическими направляемыми волнами ( см. гл. Поскольку эффективность дифракции г, [ см (10.1.11) ] зависит от интенсивности звука / а, локализация акустической энергии вблизи поверхности ( на глубине - Л) приводит к низкой мощности модуляции или переключения. На рис. 10.9 схематически изображена экспериментальная установка, в которой как поверхностная звуковая волна, так и оптическая волна направляются в одном кристалле LiNbOr Диэлектрический волновод образуется вследствие диффузии Li из поверхностного слоя порядка 10 мкм, что приводит к увеличению показателя преломления в этой области. [28]

Оптимально повернутый Y-срез кристалла LlNbOa для подложек фильтров на поверхностных акустических волнах / К - Сибаяма, К. [29]

Рассмотрим теперь дифракцию света на волнообразном возмущении поверхности, обусловленном поверхностной акустической волной. [30]

Страницы: 1 2 3 4