Флуктуация - поле
Cтраница 1
 |
В полупроводнике, питаемом от генератора напряжения, образование домеиа сопровождается падением среднего поля в кристалле. [1] |
Флуктуация поля формируется в точках кристалла, где в силу особенностей выращивания удельное сопротивление имеет наиболее высокое значение. [2]
Флуктуации поля ф играют и еще одну, более фундам. [4]
Флуктуации поля z малыми не предполагаются. [5]
Когда флуктуации поля могут быть описаны как гауссовский случайный процесс, часто говорят, что поле подчиняется гауссовской статистике. Сейчас мы кратко рассмотрим некоторые из важных формул, которые выполняются для полей этого вида. [6]
Гц флуктуации поля обусловлены, главным образом, изменением его по абсолютной величине, а также двухсекторной структурой, существовавшей во время измерений. Спектры Вг, В, и vr имеют максимумы при частоте / 10 Гц, что соответствует двум циклам за один оборот Солнца. [7]
Согласно (16.4.32) флуктуации поля на выходе увеличиваются в процессе четырехволнового смешения. Это не удивительно, поскольку выходные поля усилены, а как мы уже знаем, усиление, в общем случае, добавляет шум. [8]
В этом случае временные флуктуации поля отраженного излучения за счет флуктуации фазы, приобретаемых на ламбертовской поверхности, являются более быстрыми, чем вызванные атмосферой. [9]
В кристалле всегда присутствуют флуктуации поля в виде слабых хаотических сигналов. Благодаря взаимодействию этих сигналов с волной накачки могут переизлучаться новые световые волны. [10]
Действительно, если полностью отсутствуют флуктуации поля, то средние по ансамблю, например в выражениях (7.11) или ( 7.16 а), будут представлять собой просто произведения соответствующих сигналов. [11]
Это легко сделать, если флуктуациями поля фг можно пренебречь. [12]
Противоречие это устраняется, если учесть флуктуации поля. [13]
С другой стороны, если частота флуктуации поля h много больше частоты прецессии ядерного спина, то ядра чувствуют некоторое среднее значение поля Н0, которое равно нулю в случае вырожденного состояния электронной оболочки иона. Отсюда следует, что при уменьшении среднего значения поля Й0 на ядре скорость группировки линий магнитной структуры, соответствующей переходам 3 / 2 - V2 и V2 - V2, V2 - V2, около положений двух линий чисто квадрупольного спектра будет различной. В результате возникает различие в пиковой величине двух компонент квадрупольного расщепления при равенстве площадей под обеими пиками. [14]
В самом деле, когда полностью отсутствуют флуктуации поля, среднее по ансамблю выражения (7.60) будет представлять собой произведение аналитических сигналов. [15]
Страницы: 1 2 3 4