Cтраница 1
Соответствующие флуктуации находятся очень просто. [1]
Условие стабильности равновесного состояния определяет знаки соответствующих флуктуации. [2]
А - работа, необходимая для осуществления соответствующей флуктуации, a kT - мера интенсивности теплового движения. Работу А легко вычислить как работу для концентрирования на частице ( принимаем частицу проводящей, так что все ее точки эквипотенциальны) заряда А против сил электростатического отталкивания. [3]
В сопротивлении Z, присоединенном к лампе, возникают соответствующие флуктуации напряжения. [4]
В настоящей статье будут рассмотрены только закономерности, которым подчиняется рассеяние света, и соответствующие флуктуации вдали от температуры расслоения. [5]
Диполи растворителя участвуют в тепловом движении, а потому происходят флуктуации поляризации растворителя и соответствующие флуктуации энергии взаимодействия электрона со средой. При определенной конфигурации диполей растворителя энергетические уровни электронов в ионах А и В выравниваются, принцип Франка - Кондо-на выполняется и возможен перескок электрона от одного иона к другому. [6]
Диполи растворителя участвуют в тепловом движении, а потому происходят флуктуации поляризации растворителя и соответствующие флуктуации энергии взаимодействия электрона со средой. При определенной конфигурации диполей растворителя энергетические уровни электронов в ионах А и В выравниваются, принцип Франка-Кондона выполняется и возможен перескок электрона от одного иона к другому. [7]
Только тогда мы действительно имеем дело с исследованием устойчивости свободной, не подверженной воздействию J среды относительно спонтанного появления и нарастания соответствующих флуктуации. Все сказанное будет проиллюстрировано в следующем пункте на примере электромагнитного поля. [8]
Мы видим, таким образом, что новый слой частиц может начать расти на поверхности предыдущего только после того, как в результате соответствующей флуктуации возникла где-нибудь зародышевая колония, состоящая из двух, трех или более частиц. Кинетика этого процесса в сущности аналогична кинетике адсорбции монослоя частиц на поверхности чужеродного тела, которая была рассмотрена автором в 1924 г. в связи с экспериментальным исследованием явления критической температуры конденсации методом дублетов. Метод состоял в расчете числа дублетов, соответствующих заданному полному числу адсорбированных частиц при беспорядочном распределении последних и в предположении, что эти дублеты могут дать начало устойчивым колониям больших размеров. [9]
Таким образом, процесс фазообразовапия является флуктуацпонпым и число получающихся зародышей, а соответственно п искомая скорость образования попой фазы / п определяются числом соответствующих флуктуации. [10]
Кроме такой макронеоднородности слитка по химическому составу, в кристалле могут возникать неоднородности значительно меньшего масштаба, например вследствие флуктуации условий роста, которые приводят к соответствующим флуктуациям в распределении примесей в твердой фазе. Поверхности равных концентраций ( изоконцентраты) в этих случаях располагаются параллельно фронту кристаллизации, воспроизводят его форму в различные моменты времени. [11]
Таким образом, фазообразование - это флуктуационный процесс, и число получающихся зародышей, а следовательно, и искомая скорость / о образования новой фазы определяются числом соответствующих флуктуации. [12]
В обеих схемах источником рождения дополнительных турбулентных пульсаций является само наличие искривленной поверхности пламени, но-различными путями - в первой схеме непосредственно в результате случайных изменений положений элементен пламенной поверхности и соответствующих флуктуации направлений нормальной составляющих скорости потока сгоревшего газа; во второй схеме - через образование определенного профиля скоростей в потоке сгоревшего газа. Но уже из самой нереальности принятой модели турбулентного-пламени следует необоснованность обоих механизмов рождения пламенной турбулентности. [13]
В обеих схемах источником рождения дополнительных турбулентных пульсаций является само наличие искривленной поверхности пламени, но различными путями - в первой схеме непосредственно в результате случайных изменений положений элементов нлам: енной поверхности и соответствующих флуктуации направлений нормальной составляющих скорости потока сгоревшего газа; во второй схеме - через образование определенного профиля скоростей в потоке сгоревшего газа. Но уже из самой нереальности принятой модели турбулентного пламени следует необоснованность обоих механизмов рождения пламенной турбулентности. [14]
При низких температурах каждый ион закреплен в кристаллической решетке пли в молекуле в положении, отвечающем минимуму потенциальной энергии. Эту энергию может доставить соответствующая флуктуация теплового движения. [15]