Фонона

Cтраница 4

В главе Фононы в гелии мы подчеркивали, что все возможные движения атомов гелия микроскопического масштаба есть не что иное, как звуковые волны - фононы. [46]

Передача энергии фононам при непосредственной рекомбинации также маловероятна, так как средняя энергия фо-нонов kT много меньше ширины запрещенной зоны и один фонон воспринять такую энергию не может. Передача энергии многим фононам одновременно ( рождение большого числа фононов) так же маловероятна, как и столкновение в одной точке нескольких десятков частиц. [47]

Столкновения с фононами обычно являются главным, определяющим механизмом температурно-зависящей части сопротивления. [48]

Однако между фононами и фотонами существуют принципиальные различия. Они имеют разную физическую природу. Важно иметь в виду, что фононы существуют лишь в кристаллической решетке; бессмысленно пытаться получить пучок фононов, выходящий из кристалла. Импульс фонона квантуется и ограничен пределами зоны Бриллюэна; импульс фотона может принимать, в принципе, любые значения. Энергия фонона имеет предельное значение, характерное для данного кристалла; энергия фотона не имеет предельного значения. У фонона 3 и поляризаций ( а - минимальное число атомов в элементарной ячейке); фотон имеет две поляризации. [49]

Типичный вид импульсов тока, которые должны наблюдаться при измерении дрейфовой подвижности носителей, прошедших через образец, в случае обычного статистического уширения слоя дрейфующих зарядов ( а и в случае аномального дисперсионного уширения ( б. [50]

L имулированных фононами прыжков в щели значений подвижности, расположенной между Ev и Ес. [51]

Столкновения с фононами не выводят электроны из теплового слоя (2.28) и поэтому не увеличивают средней разности энергий между ними. Следовательно эффективное время расфазиров-ки гее не уменьшается. С другой стороны фононы создают дополнительную неоднородность и эффект рассеяния на них суммируется с эффектом рассеяния на статических дефектах. [52]

Столкновения с фононами: тепловые упругие волны ( фоно-ны), пересекающие плоскость скольжения, создают в ней периодически меняющиеся касательные напряжения, которые вызывают колебания дислокации; результирующая сила падающих со всех сторон упругих волн ( фононов) на покоящуюся дислокацию равна нулю. При движении дислокации ее ведущая сторона сталкивается с большим числом фононов, чем ведомая. Появляется результирующая сила, препятствующая движению дислокации и тормозящая ее. Преодоление этой силы требует дополнительного расхода энергии, идущей на возбуждение колебаний решетки. [53]

Этот обмен фононами приводит в известных условиях к слабому притяжению между электронами. [54]

Страницы: 1 2 3 4