Оптическая фонона

Cтраница 2

Наиболее высокими частотами характеризуются так называемые оптические фононы, отвечающие взаимным колебаниям атомов внутри элементарной ячейки. [16]

По физической природе плазМоны очень близки оптическим фононам в твердом теле. [17]

Примерный виц спектра рассеиваемого льезокристаллом излучения. 1 - рэлеевское рассеяние. 2 - комбинационное рассеяние на поляритетах и оптических фононах. з - сигналь-ноо параметрическое рассеяние. 4 - холостое параметрическое рассеяние. 5 - провал в области шн / 2 иа-аа отсутствия синхронизма. 6 - эффеит линеаризации кристалла из-за прохождения квадратичной нелинейности через нуль при смене знака. 7 - отсутствие синхронизма при уменьшении показателя преломления для холостой волны.| Параметрическое рассеяние при распространении света в ш. езокриеталлах. фотоны распадаются на пары фотонов с меньшими янергиями и частотой, зависящей от направления распространепдиг.| Связь между частотой рассеянного излучения н направлением его расп рос / г ранении. [18]

Штриховые линии относятся к рассеянию на оптических фононах и лоляритонах; кружком отмечен коллинеарный синхронизм ПРИ генерации второй гармоники. [19]

В твердом теле возможны как акустические, так и оптические фононы. [20]

Для полноты рассмотрения обсудим теперь взаимодействие туннелирующе-го движения с полярными оптическими фононами. [21]

Все эти различия обусловлены одним обстоятельством: при ВКР действуют оптические фононы, а при ВРМБ - акустические. [22]

Екр) необходимо учитывать рассеяние носителей друг на друге и на оптических фононах. [23]

Такой вид поглощения должен был бы исчезнуть при низких температурах, когда оптические фононы практически не возбуждены, однако имеются указания на то, что небольшой хвостик на кривой поглощения сохраняется и при низких температурах. [24]

Третий член Н в выражении (5.52) описывает взаимодействие туннели-рующего движения протона с полярными оптическими фононами. [25]

В предположении, что в сильных полях доминирующим процессом является рассеяние на оптических фононах, как те, так и тт равны времени рассеяния на оптическом фононе тор. [26]

График температурной зависимости подвижности поляронов, соответствующий формуле (6.88) при рассеянии на оптических фононах, схематически изображен на рис. 6.11 в координатах Аррениуса. Здесь обращает на себя внимание ход кривой, противоположный представленному на рис. 6.8; в отличие от квазисвободных электронов в атомных полупроводниках подвижность поляронов малого радиуса имеет минимум в области промежуточных температур. Пунктирный участок кривой изображает переход к рассеянию туннелирующих поляронов на заряженных точечных дефектах решетки, играющих в ионных кристаллах ту же роль, что и примесные ионы в валентных полупроводниках. [27]

В реальных веществах подвижность определяется как рассеянием на акустических, так и оптических фононах. [28]

Фононные спектры для Si ( а и GaAs ( б. LO и ТО - продольные и поперечные оптические фононы, LA и ТА - продольные и поперечные акустические фононы. [29]

В результате этого акустические фононы локально растягивают и сжимают объем кристалла, а оптические фононы не влияют на него. [30]

Страницы: 1 2 3 4