Cтраница 3
Наконец, в заключительном разделе обсуждается частотная зависимость тензоров комбинационного рассеяния первого порядка оптическими фононами. Показано, что вблизи резонанса с междузонными электронными переходами частотная зависимость тензоров комбинационного рассеяния связана с частотной зависимостью электронной поляризуемости. При обсуждении резонансных эффектов мы уделяем особое внимание вкладам в тензоры комбинационного рассеяния, которые зависят от волнового вектора, а также вкладам, индуцированным внешними или внутренними электрическими полями или деформациями. [31]
Как видно из уравнения (2.36), резонансное усиление при комбинационном рассеянии первого порядка оптическими фононами должно иметь место в том случае, когда энергии падающих фотонов достаточно близки к энергиям промежуточных электронных возбуждений. [32]
Некоторые авторы используют термин рамановское рассеяние, имея в вчду только рассеяние света оптическими фононами. Такие процессы рассматриваются в гл. [33]
Некоторые авторы используют термин римановское рассеяние, имея в виду только рассеяние света оптическими фононами. Такие процессы рассматриваются в гл. [34]
Поскольку энергия оптических колебаний решетки сравнима с энергией электронов проводимости, рассеяние на оптических фононах качественно похоже на межэллипсоидное рассеяние. В [1260] указан способ применения метода деформационного потенциала для рассмотрения рассеяния носителей длинноволновыми оптическими фоно-нами. Для рассмотрения межэллипсоидного рассеяния метод деформационного потенциала непригоден. В определенном температурном интервале межэллипсоидное рассеяние на оптических колебаниях решетки может приводить к более быстрому изменению ин с температурой, чем Г-3 / Ч Роль этих добавочных механизмов рассеяния в определении и. Авторам [1272] удалось сформулировать принцип решения кинетического уравнения, удобный для учета примесного и межэлектронного механизмов рассеяния при эллипсоидальных изоэнергетических поверхностях. [35]
При релаксации JU на ионном кристалле основным механизмом релаксации является размен колебательного кванта на оптические фононы решетки. Такой процесс требует размена энергии дейтерия на наименьшее число квантов твердого тела и, следовательно, он будет наиболее вероятным. [36]
Выражения (2.94) и (2.95) указывают на то, что резонансное комбинационное рассеяние первого порядка оптическими фононами с q ж 0 имеет такие же особенности, которые получаются в модуляционной спектроскопии при междузонных электронных переходах. В случае комбинационного рассеяния света модуляция междузонных оптических параметров кристалла ия-дуцируется колебаниями решетки. Выражения (2.94) и (2.95) были использованы для получения частотной зависимости интенсивности резонансного комбинационного рассеяния на основании экспериментально полученных данных частотной зависимости диэлектрической проницаемости. [37]
Определение матричных элементов и вероятностей перехода сложная задача и производится оно по-разному для рассеяния на акустических и оптических фононах. В частности, для изучения рассеяния электронов на длинноволновых акустических фононах используется метод деформационного потенциала, предложенный Бардиным и Шокли. [38]
В результате разделения зарядов, которое сопровождает распространение оптического фонона в кристаллах с ионной связью, оптические фононы сильно взаимодействуют с электромагнитным полем, имеющим частоту колебаний, обычно лежащую в инфракрасной области. Это взаимодействие приводит к заметному поглощению и отражению в инфракрасной области, исследованием которых мы теперь и займемся. [39]
Как видно из рис. 6.6, фотоны с энергией не выше примерно 0 01 эВ и длинноволновые оптические фононы с волновым вектором порядка 104 см 1 оказываются близкими по своим характеристикам - энергии и модулю импульса. Между такими фононами и фотонами возникает взаимодействие, в результате которого в кристалле рождаются новые квазичастицы - поляритоны. Поля-ритон можно рассматривать как своеобразную кооперацию фотона и оптического фонона. [40]
В тех случаях, когда нельзя ввести время релаксации, например при рассмотрении неупругого рассеяния на оптических фононах или электрон-электронного взаимодействия, может быть использован вариационный метод. Этот метод, как правило, не дает точных аналитических выражений для кинетических коэффициентов или они очень громоздки. [41]
Леру-Югон и Вейсан [410] приписали этот факт частично более низкой температуре Дебая, частично большому влиянию диффузии на оптические фононы в тройных соединениях. [42]
Из этого рассуждения ясно, сколь важно взаимодействие между электроном, введенным в решетку ионного кристалла, и продольными оптическими фононами. Здесь очень удобным оказывается представление об облаке поляризации, которое тащит за собой электрон, движущийся в кристалле. [43]
При описании температурной зависимости подвижности дырок, как было показано в [1303], наряду с рассеянием носителей на оптических фононах [1300] необходим учет влияния непараболичности зоны легких дырок. [44]
В действительности область применимости рассматриваемой ниже модели охватывает также и немолекулярные кристаллы, если только речь идет об оптических фононах, ширины зон которых намного меньше частоты фонона. В этой области спектра колебания атомов внутри элементарной ячейки подобны внутримолекулярным колебаниям в молекулярных кристаллах, поскольку сравнительно малая ширина зоны фононов свидетельствует о слабости взаимодействия колебаний атомов, находящихся в разных элементарных ячейках. [45]