Коротковолновая фонона

Cтраница 2

При этом необходимо учитывать, что различные дефекты и примеси эффективны для рассеяния различных длин волн; так, точечные дефекты эффективно рассеивают коротковолновые фононы ( их сечение рассеяния я - и со4); для тепловых колебаний ( рассеяние фоноиов на фононах) s - со2, длинноволновые колебания наиболее эффективно рассеиваются на макроскопич. [16]

Для этого мы детально рассмотрим механизм взаимодействия электронов и длинноволновых фононов, с одной стороны, и длинноволновых фононов с коротковолновыми фоно-нами, с другой. Электроны ускоряются электрическим полем и приобретают в единицу времени импульс & РеЕк, а при столкновениях передают его длинноволновым фононам, те же в свою очередь теряют его в столкновениях с коротковолновыми фононами. [17]

Температурная зависимость теплопроводности кристаллов ( 1 и аморфных тел ( 2. [18]

Причина высокого теплового сопротивления аморфных тел состоит в рассеянии и поглощении фононов самой нерегулярной структурой. Как и в монокристаллах, тесное межатомное взаимодействие приводит к образованию широкого спектра коле-баний, которые, однако, из-за неупругого рассеяния, характерного для аморфных структур, сравнительно быстро затухают. В большей мере это относится к коротковолновым фононам, длины волн которых соизмеримы с размерами элементарной ячейки структуры. [19]

Спектр фононного поглощения в GaAs в области энергий 0 04 - 0 07 эВ. [20]

Рассмотрим какие же типы колебаний наиболее эффективны с точки зрения деформации электронных оболочек. При длинноволновых колебаниях соседние атомы колеблются почти в фазе и электронные оболочки практически не деформируются. При коротковолновых колебаниях фаза колебаний соседних атомов сильно отличается и заметно деформируются электронные оболочки. Таким образом, именно коротковолновые фононы наиболее эффективны для наведения переменных диполей и поэтому максимум фононного поглощения приходится на области спектра, соответствующие краю зоны Бриллюэна для фононов. [21]

Страницы: 1 2