Форма - эквипотенциальная поверхность
Cтраница 2
Каждая страта начинается с более яркой головки, обращенной к катоду, обычно слегка л выпуклой соответственно форме эквипотенциальной поверхности в разряде. По направлению к аноду яркость свечения постепенно убывает и хвост страты часто кажется совсем темным. [16]
Уравнение Лапласа (1.16) показывает, что, задавая значения потенциала в некоторых точках пространства, тем самым можно однозначно определить форму эквипотенциальных поверхностей. Из этого вытекает третье отличие между световой и электронной оптикой: в световой оптике форма преломляющих поверхностей и показатель преломления не связаны между собой; в электронной оптике показатель преломления ( ] / /) и форма преломляющих ( эквипотенциальных) певерхностей в большинстве случаев не могут быть изменены независимо. [17]
Подавая напряжения на электроды модели и измеряя потенциалы в междуэлектродном пространстве, можно установить, что поле обладает аксиальной симметрией, форма эквипотенциальных поверхностей определяется вращением эквипотенциальных линий вокруг оси трубки. Именно такая форма поля и обеспечивает получение тонкого, хорошо сфокусированного электронного луча. Дело в том, что аксиально-симметричное электрическое поле обладает фокусирующим действием на узкий приосевой электронный пучок. [18]
Оптические параметры двух-электродного иммерсионного объектива ( рис - 3.18, г слева) не зависят от абсолютной величины приложенного напряжения, так как при этом не изменяется форма эквипотенциальных поверхностей. [19]
Напряженность Е направлена перпендикулярно эквипотенциальным поверхностям и вычисляется как взятый с обратным знаком градиент от потенциала. Получить форму эквипотенциальных поверхностей системы точечных зарядов в принципе легко. [20]
Эквипотенциальные поверхности а очень больших расстояниях от обоих зарядов будут близки к сферам, центрированным в точке О. По мере приближения к зарядам форма эквипотенциальных поверхностей начинает усложняться, принимая сперва очертание А ( рис. 4 - 8 а), напоминающее поверхность эллипсоида. Затем появляется впадина у плоскости симметрии YY. Эквипотенциальная поверхность типа В пересекает самое себя, образуя в районе точки ветвления подобие конусов, разобранных выше; соседние поверхности имеют в ближайших окрестностях точки ветвления формы, близкие к гиперболоидам. [21]
В точках, лежащих на оси трубки, радиальный градиент потенциала равен нулю. Форма головки положительного столба соответствует форме эквипотенциальной поверхности. [22]
Мне представляется, что этот последний метод может быть полезен даже в случае, когда имеется точное решение. Как я убедился, наглядное представление форм эквипотенциальных поверхностей часто приводит к правильному выбору математического метода решения. [23]
Конечно, этот метод с математической точки зрения весьма несовершенен, но это единственный метод, имеющийся в нашем распоряжении, и если у нас нет возможности выбирать наши условия, то мы можем произвести лишь приближенный расчет электризации. Таким образом, нам нужно знать форму эквипотенциальных поверхностей и линий индукции для возможно большего числа различных случаев, какие только удастся собрать и запомнить. Для некоторых случаев, как, например для сферических проводников, известны математические методы, которыми можно воспользоваться. В других случаях не следует гнушаться и более скромным методом прямого построения пробных графиков полей и потенциалов на бумаге и выбора наименее отклоняющегося от требуемого. [24]
 |
Семейство вольтампер-ных характеристик полевого транзистора. [25] |
Рассмотрим, как будут меняться вольтамперные характеристики канального транзистора в зависимости от изменения напряжения на его электродах. Протекание тока через канал вызывает падение напряжения, изменяющее форму эквипотенциальных поверхностей внутри канала. Соответственно толщина канала должна уменьшиться по направлению от истока к стоку. Нелинейность этой характеристики проявляется тем больше, чем больше напряжение Ue. Наступает состояние, при котором увеличение напряжения стока вызывает соответствующее резкое увеличение дифференциального сопротивления, приводящее к все меньшему возрастанию тока, и, следовательно, ток стока оказывается практически неизменным. При дальнейшем увеличении напряжения между истоком и стоком напряженность электрического поля в области пространственного заряда может настолько возрасти, что наступит пробой в цепи сток-затвор. [26]
Свойства электрической линзы не связаны непосредственно с формой ее электродов, а определяются формой эквипотенциальных поверхностей, созданных наложенным на эти электроды напряжением. Было бы, однако, ошибочно думать, что электрическая линза, форма эквипотенциальных поверхностей которой аналогична форме двояковыпуклой оптической линзы, является непременно линзой собирательной, как это всегда имеет место в случае двояковыпуклой оптической линзы. Дело в том, что, говоря об оптической двояковыпуклой линзе, мы представляем ее находящейся в воздухе и имеющей поэтому показатель преломления больший, чем показатель преломления среды, окружающей линзу с обеих сторон. [27]
Значительный интерес представляют эквипотенциальные кривые электрического поля в зоне, запыленной частицами кварца. Эти кривые показывают наличие в этой зоне объемных зарядов, увеличивающих в ней локальный потенциал и резко искажающих форму эквипотенциальных поверхностей электрического поля. [28]
Общего способа отыскания распределения зарядов, создающих электростатические поля с заданной конфигурацией эквипотенциальных поверхностей, в настоящее время не существует. Поэтому при определении емкостей по методу эквивалентных зарядов пользуются обычно обратным методом: задаваясь тем или иным конкретным распределением зарядов, находят для каждого из них форму эквипотенциальных поверхностей электростатического поля и получают тем самым некоторый набор распределений зарядов, создающих известные поля. Пользуясь им, можно в ряде случаев найти такое распределение зарядов, для которого форма эквипотенциальных поверхностей совпадает ( или достаточно близка) с формой поверхностей рассматриваемых проводников. [29]
Далее следуют два анода А, и А2 с положительными по отношению к катоду потенциалами. Ускоряющие электроны электрические поля, возникающие между М и А, а также между А, и А2, показаны на рис. 3.45 эквипотенциальными поверхностями. Конфигурация электродов, а следовательно, форма эквипотенциальных поверхностей поля выбирается так, чтобы электроны не только ускорялись, но и фокусировались в точку на экране трубки. [30]
Страницы: 1 2 3