Cтраница 2
Действительно, опыт подтвердил, что при испускании рентгеновских волн наблюдается максимальная частота ( коротковолновая граница), определяемая из написанного условия, где V - ускоряющая разность потенциалов, е - заряд электрона, v - частота границы и h - постоянная Планка. Волны более короткие ( большие v) никогда не наблюдаются, волны же более длинные соответствуют превращению лишь части кинетической энергии электрона в излучение. Определение коротковолновой границы рентгеновского спектра может быть выполнено весьма надежно. [16]
Действительно, опыт подтвердил, что при испускании рентгеновских волн наблюдается максимальная частота ( коротковолновая граница), определяемая из написанного условия, где У - ускоряющая разность потенциалов, е - заряд электрона, v - частота границы и h - постоянная Планка. Волны более короткие ( большие v никогда не наблюдаются, волны же более длинные соответствуют превращению лишь части кинетической энергии электрона в излучение. Определение коротковолновой границы рентгеновского спектра может быть выполнено весьма надежно. [17]
Последовательные оболочки из атомов в псевдо-икосаэдре Ма. [18] |
Эта корреляция отражает волновую природу электронов; улучшение условий распространения рентгеновской волны сопровождается уменьшением рассеяния блоховской волны. В квазикристаллах все происходит ровно наоборот: отжиг, повышающий качество лауэграммы, одновременно увеличивает электросопротивление. Сами значения удельного сопротивления при этом очень велики. [19]
Импульс, переданный при рассеянии системе электронов, равен разности импульсов падающей и рассеянной рентгеновских волн. Так как импульс плоской волны равен постоянной Планка К, умноженной на волновой вектор, то импульс, переданный распределению электронов, равен Ukj - Uk2, где k2 - волновой в ектор рассеянной волны. [20]
При этих условиях наличие связей, удерживающих электрон внутри атома, может не приниматься в расчет и явление можно рассматривать как вынужденное рентгеновской волной колебание свободных электронов. При этих предположениях интенсивность рассеянного единицей объема вещества должна быть пропорциональна числу электронов Z в единице объема. Так как число электронов в атоме ( порядковое число атома) приблизительно пропорционально его атомно - му весу ( особенно для легких элементов кроме водорода), то число электронов в единице объема рассеивающего тела можно считать пропорциональным плотности вещества. [21]
Другим приближением, которое необходимо использовать при большом количестве дефектов для получения достаточно пригодных в практическом применении результатов, является статистическое приближение, при котором наблюдаемая интенсивность рассеянных рентгеновских волн определяется величинами, средними по распределению дефектов. [22]
Ясно, что существование подобных решений, которые в дальнейшем будут называться собственными волнами, накладывает определенные ограничения на форму падающей волны и тип деформации кристалла, например, случай дифракции плоских рентгеновских волн на совершенном кристалле. Тем не менее изучение подобных решений имеет методическое значение, так как оно приводит к существенному упрощению расчетов. В частности, мы увидим, что число переменных в основной системе уравнений от двух сводится к одному и даже нулю, например в случае постоянного градиента деформации в кристалле бесконечной толщины. [23]
При фиксировании ориентации кристалла относительно направления падения рентгеновского пучка выполнение вышеприведенных условий более чем для нескольких дифракционных максимумов маловероятно, если только, как в первоначальном опыте, не используется непрерывный спектр рентгеновских волн. Однако отсутствие информации о длине волны, ответственной за какой-либо конкретный дифракционный максимум, является очевидным недостатком. Если не считать исследований определенных типов, теперь в практике повсеместно используется квазимонохроматическое излучение и при просвечивании рентгеновским пучком наклон кристалла постепенно меняется с тем, чтобы обеспечить выполнение условий Лауэ. Здесь нет необходимости касаться детально того, как это осуществляется на практике. Достаточно сказать, что существует возможность получения трехмерной дифракционной картины от кристалла. Она образует трехмерную структуру, которая взаимосвязана со структурой кристалла, как и в случае двухмерных решеток, рассмотренных в предыдущем разделе. [24]
По отношению к рентгеновскому излучению определены также показатели преломления некоторых веществ ( они оказались близкими к единице), наблюдалось полное внутреннее отражение, обнаружены дисперсия ( зависимость показателя преломления вещества от длины рентгеновских волн) и другие волновые свойства. [25]
Если параллельный пучок рентгеновского излучения падает на кристалл, то на каждой атомной плоскости будет происходить дифракция. Максимум интенсивности дифрагировавших рентгеновских волн соответствует направлению, определяемому законами правильного отражения. [26]
Физическая модель распространения электромагнитных рентгеновских волн, положенная в основу излагаемой теории [14], сводится к следующему. Мы пренебрегаем действием рентгеновских волн на ядра атомов. [27]
Действительно, кристалл представляет собой совокупность атомов, расположенных в виде правильной пространственной решетки. Каждый атом решетки становится центром рассеяния рентгеновских волн, когерентных между собой, ибо они возбуждаются одной и той же приходящей волной. Интерферируя между собой, эти волны дают по известным направлениям максимумы, которые вызывают образование отдельных дифракционных пятнышек на фотографической эмульсии. [28]
Кроме того, следует подчеркнуть, что в уравнениях (11.33) величины km являются постоянными и соответствуют волновым векторам в идеальном кристалле. Таким образом, задача о распространении рентгеновских волн в реальном кристалле сводится к решению системы уравнений (11.33) в частных производных первого порядка с переменными ат, рассчитанными с учетом локального поля деформаций в данной точке кристалла. [29]
На границе зоны одинаковы амплитуды, - по крайней мере, двух пространственных гармоник. Поэтому при расчете отражения и распространения рентгеновских волн в кристаллах следует учитывать не менее двух пространственных гармоник. [30]