Формирование - переход
Cтраница 1
Формирование переходов начинается с определения объектов, образующих искомую структуру. [1]
Формирование р-п переходов принципиально возможно двумя методами: введением примесей в полупроводниковую подложку ( диффузией или ионным внедрением) и наращиванием на подложке дополнительного полупроводникового слоя с необходимым распределением примесей. Метод наращивания материала на монокристаллической подложке называется эпитаксиальным наращиванием, если в создаваемом слое воспроизводится монокристаллическая структура, повторяющая структуру исходной подложки. Ориентированное наращивание материала на монокристалл того же вещества называется ав-тоэпитаксией. [2]
При формировании переходов допускается при описании перехода изменять в предложении порядок слов, их падеж и число. [3]
При вытягивании из расплава формирование перехода происходит в процессе роста полупроводникового слитка путем дозированного изменения состава легирующих примесей в расплаве. Диффузионные переходы получают диффузией легирующих примесей из источников в газообразной, жидкой и твердой фазах. Имплантированные переходы образуются при ионной имплантации легирующих примесей. [4]
 |
Схема выращивания термического окисла. [5] |
Диффузия атомов примесей проводится для формирования р-п переходов и создания участков материала полупроводника с высокой электропроводностью. [6]
Из изложенного видно, что если в формировании переходов лежат технологические основы, то в формировании операций лежат организационные основы. [7]
 |
Прямоугольная характеристика намагничивания.| Зависимость между м.д.с. и временем переключения. [8] |
При изготовлении туннельного диода используется повышенное количество примесей для формирования р-п перехода. Увеличение плотности свободных носителей за счет увеличения примесей уменьшает величину падения напряжения в обратном направлении. За счет этого диод может оставаться в области отсечки даже при наличии небольшого прямого напряжения. При этом протекает обратный ток относительно боль-шой величины. При увеличении прямого напряжения диод выходит из области отсечки, и обратный ток падает до очень малой величины. [9]
 |
Сечение ( а и план ( б участка ИС с инжекционным питанием.| Полевой транзисторе индуцированным каналом р-типа. [10] |
В ИС с инжекционным питанием отсутствуют потери площади подложки на формирование изолирующих переходов. По сравнению с обычными ИС на биполярных транзисторах применение системы инжек-ционного питания позволяет резко сократить потребляемую мощность и многократно увеличить число логических функций, выполняемых ИС. [11]
Характерной особенностью всех методов изготовления солнечных элементов со структурой Cu2S - CdS является необходимость проведения термообработки после формирования перехода. Этот процесс, относящийся к числу наиболее важных технологических операций, будет рассмотрен более подробно в разд. [12]
Ионное внедрение ( ионная имплантация) материала примеси является новым методом, решающим аналогично диффузионному методу задачи формирования р-п переходов и изменения проводимости участков полупроводника. Легирующее вещество в виде пучка ионов, ускоренных до энергий 10 - 100 кэВ, направляется на поверхность полупроводниковой пластины. [14]
Солнечные элементы на основе аморфного кремния обладают рядом практических преимуществ по сравнению с использованием обычного кристаллического кремния: более низкая температура наращивания; возможность формирования перехода в процессе осаждения; простота получения солнечных элементов большой площади. Кроме того, солнечные элементы на основе a - Si: Н могут создаваться на различных подложках, таких как стекло, полимер или керамика, покрытые проводящим слоем, а также на металлических листах. Среди последних наиболее часто используется подложка из нержавеющей стали. [15]
Страницы: 1 2