Формирование - переход
Cтраница 2
 |
Графическая зависимость между временем Тя рабочего цикла работы автомата и числом итераций N, производимых технологом-проектировщиком. [16] |
Анализ работы технологов-проектировщиков показал, что их работа производится поэтапно в такой последовательности: 1) анализ рабочего чертежа; 2) определение степени сложности детали; 3) выбор типа оборудования и заготовки; 4) использование архива наладок; 5) расчленение поверхности детали на комплексы элементарных обрабатываемых поверхностей; 6) проектирование маршрутов обработки поверхностей; 7) формирование совмещенных переходов; 8) распределение совмещенных переходов по позициям; 9) расчет режимов резания и норм времени. [17]
 |
Структуры молевых транзисторов с изолированным затвором ( с р-каннлом. [18] |
Так, переходы Шотки имеют сравнительно малую толщину, что облегчает создание полевых транзисторов с очень коротким проводящим каналом. Формирование переходов Шотки происходит при относительно низкой температуре, а исключение высокотемпературных операций способствует повышению качества диэлектрического слоя, а также минимизации размеров транзисторной структуры. Кроме того, МДП-транзисторы с переходами Шотки под истоком и стоком могут быть изготовлены на полупроводниках, в которых не удается получить достаточно качественных р-л-пере-ходов. [19]
После формирования р-п переходов ( рис. 18.25) необходимо в требуемых местах сделать контактные площадки и соединить между собой элементы схемы. [20]
Охранное кольцо уменьшает обратные токи утечки пленарных диодов и позволяет получать в активной области обедненного слоя высокие напряженности электрического поля. Обычно охранное кольцо получают методом диффузии до формирования перехода на активной площади диода. [21]
Блок выбора последовательности обработки при назначении чистовых переходов решает вопрос выбора последовательности обработки поверхностей с учетом измерительных баз. Принцип совмещения конструкторских и технологических баз, принятый в работе, позволяет при формировании чистовых переходов назначать чертежные линейные размеры. Пересчет чертежных линейных размеров возможен только в исключительных случаях. [22]
При проектировании исходными данными являются характеристики поверхностей готовой детали и заготовки. Проектирование ( см. рисунок) включает выбор метода обработки, выбор базовых поверхностей; формирование переходов и операций, построение маршрута обработки. [23]
Саткевич и Чарлз [54] провели анализ состава образцов Cu2S - CdS ( полученных посредством окунания) методом масс-спектроскопии вторичных ионов, который показал, что после каждой технологической операции в процессе изготовления образцов профили распределения входящих в их состав химических элементов ( Си, Cd и S) изменяются. Причина этих изменений, вероятно, связана с образованием следующих соединений: Cu2SO3 H2O - на поверхности Cu2S, CuS или CuO - на границе раздела CU2S - CdS и ( или) CdO-на поверхности CdS до формирования перехода. В слоях CdS и CU2S обнаружены такие примеси, как Fe, Mn, Li, Na, Ca, К и Si. [24]
Затем для получения слоя Cu2S проводят процесс окунания. Термообработка, необходимая для формирования перехода, представляет собой вакуумный отжиг, температура и длительность которого зависят от состава пленки. Обычно при к-0 температура отжига составляет 250 С, а его продолжительность - около 5 мин. Сплошной металлический контакт к слою Cu2S создают на основе серебряной электропроводящей пасты. [25]
В настоящее время установлено, что характеристики солнечных элементов в значительной степени зависят от микроструктуры каждого слоя ( тыльного контакта, CdS и Cu2S) и морфологии поверхности раздела Cu2S - CdS. Ясное представление о микроструктуре тонкопленочных элементов на основе Ct S - CdS получено с помощью исследований методами электронной микроскопии. Разработаны различные способы приготовления образцов для изучения поперечного сечения элементов и поверхности раздела Cu2S - CdS. Исследование структуры и морфологии наряду с анализом состава и профиля распределения химических элементов по глубине позволяет выяснить ряд вопросов, связанных с формированием перехода и процессами, происходящими при работе солнечных элементов. В данном разделе представлены результаты этих исследований. [26]
Такое граничное условие реализуется при испарении примеси из предварительно насыщенного ею кристалла. Этот процесс называют обратной диффузией. Проводя обратную диффузию, получают поверхностные слои с повышенным удельным сопротивлением. Этим методом можно формировать лежащие вблизи поверхности р-п-переходы, если полупроводник предварительно легировать донорной и акцепторной примесями. Для формирования перехода необходимо, чтобы начальная концентрация быстро диффундирующей примеси была больше, чем концентрация примеси, диффундирующей с меньшей скоростью. [27]
 |
Изменение концентрации носителей и эффективной подвижно -. ти при отжиге после имплантации ионов В, BF2. Режим ионной имплантации. 1 - Ю15 см-2, 150 кэВ, термообработка в течение 10 мин. [28] |
Для полного восстановления кристаллических свойств после ионной имплантации необходим отжиг при температуре 900 - 1000 С, однако такая термообработка вызывает термическую диффузию примесей. Избежать этого позволяет отжиг путем мгновенного повышения температуры - процесс термодинамически неравновесный. Источниками нагрева при импульсном отжиге могут быть: 1) лазеры, 2) электронный луч, 3) импульсные лампы, 4) галогенные лампы, 5) графитовые нагреватели. Причем источники 1) и 2) обеспечивают нагрев за 10 - 100 не, а 3) - 5) за 1 - 100 не, что не является мгновенным отжигом, однако все же может быть использовано для формирования мелких переходов. [29]
Керамические ленты напоминают по эластичности обработанную кожу, клеенку. В зависимости от выбранного варианта технологии одновременно штампуется одна или две группы отверстий: для межслойных переходов и для совмещения необожженных листов при последующих операциях. Необожженные листы металлизируют обычно методом трафаретной печати. К пастам для металлизации сырой керамики предъявляются дополнительные требования: совместимость органических связок в пасте и в керамической ленте, одинаковая и синхронная усадка металла и керамики, чтобы свести к минимуму внутренние напряжения в спеченном изделии. Формирование межслойных переходов является узловой операцией в технологическом процессе изготовления многослойных керамических подложек. [30]
Страницы: 1 2