Формирование - вершина - импульс
Cтраница 1
Формирование вершины импульса стрисходит при насыщенном транзисторе и напряжении на его коллекторе, близком к нулю. [1]
Формирование вершины импульса происходит частично в режиме насыщения. Если длительность импульса сравнима с временем жизни неосновных носителей в базе, то длительность импульса уже не определяется только элементами схемы и вольтампсрными характеристиками, а существенно зависит от процессов рассасывания носителей в базе. Диффузионный механизм движения носителей растягивает фронт импульса. Для подавления обратного выброса ( рис. 5, б) вводят шунтирующее сопротивление R ( рис. 5, а) либо полупроводниковый диод. [3]
Формирование вершины импульса ( временно устойчивое состояние схемы) определяется двумя основными процессами: нарастанием намагничивающего тока и увеличением отрицательного потенциала на конденсаторе С за счет протекания сеточного тока. [4]
 |
Оптронные пары. светодиод-фо-тодиод ( а и свето-диод - фототранзистор ( б. [5] |
Этап формирования вершины импульса анализируют с помощью схемы на рис. 2.26 в, которая получается из рис. 2.26 а исключением Ls и С в. [6]
При формировании вершины импульса токи / х и / 2 и напряжения вх и ивых изменяются медленно, вследствие чего можно пренебречь влиянием Лгакв и Сэкв. [7]
При формировании вершины импульса максимальное напряжение UCM на конденсаторе С зависит от параметров транзистора, так как окончание импульса определяется моментом выхода транзистора из насыщения или насыщением сердечника трансформатора. [8]
При формировании вершины импульса транзистор насыщен, а диод Hi открыт. [9]
Затем начинается формирование вершины импульса. В это время ток базы не управляет током коллектора, скорость его изменения становится равной нулю и наводимая в обмотке w6 ЭДС ei начинает падать. В результате уменьшения базового тока в обмотке Wf, возникает ЭДС самоиндукции, препятствующая уменьшению базового тока и имеющая ту же полярность, что и ЭДС е - i - Это приводит к быстрой зарядке конденсатора С базовым током через малое сопротивление эмиттерного перехода насыщенного транзистора. Формирование вершины импульса заканчивается в момент перехода транзистора из режима насыщения в активный режим. [10]
Особенность стадии формирования вершины импульса заключается в том, что заряд конденсатора С сеточным током из-за наличия катушки L имеет резко выраженный колебательный характер. Напряжение на катушке также возрастает по гармоническому закону. [11]
При t t формирование вершины импульса заканчивается-транзистор Т выходит из насыщения. [12]
На этом заканчивается формирование вершины импульса. На временных диаграммах рис. 10.3 участка Л В соответствуют состоянию квазиравновесия. [13]
При / т формирование вершины импульса заканчивается - транзистор Т выходит из насыщения. [14]
Характерные черты процесса формирования вершины импульса три больших коэффициентах трансформации особенно четко отображаются осциллограммами токов в цепях триода. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5