Формирование - вершина - импульс
Cтраница 2
Проведенные выше исследования формирования вершины импульса в блокинг-генераторе при различных условиях позволяют сформулировать основные требования к величинам элементов схемы, необходимым для получения в ней заданных импульсов. [16]
После окончания блокинг-процесса происходит формирование вершины импульса. На этом этапе происходит рассасывание неосновных носителей, накопленных в базе, обусловливающее процесс заряда конденсатора С базовым током. Продолжительность этого процесса и определяет время вершины импульса. [17]
После этого наступает стадия формирования вершины импульса, продолжительность которой определяется процессами заряда емкости С и нарастания тока намагничивания импульсного трансформатора. По достижении некоторых значений иг и наступает стадия формирования заднего фронта импульса. [18]
Напряжение м2 в процессе формирования вершины импульса в этой схеме остается примерно постоянным. [19]
Идеализация трансформатора на этапе формировании вершины импульса состоит в том, что индуктивности рассеивания предполагаются равными нулю, а коллекторная обмотка трансформатора имеет индуктивность LK. Будем также - считать, что сопротивление участка коллектор - эмиттер насыщенного транзистора отображено сопротивлением го, которое может быть рассчитано по выходным характеристикам. Процесс модуляции сопротивления базы объясняется распространением избыточных носителей за - - рядов из активной области вблизи р-п-перехода в толщу базы. [20]
Характер протекания процессов при формировании вершины импульса зависит от характера изменения тока iG ( t), который зависит от величины емкости С. [21]
Как уже отмечалось, на формирование вершины импульса оказывают влияние цепи, имеющие большую постоянную времени. Спад вершины импульса за счет цепей катода и экранирующей сетки связан с действием отрицательной обратной связи. Действительно, рассмотрим, например, влияние цепи катода. Допустим, как и раньше, что к сетке лампы подводится прямоугольный импульс положительной полярности. [22]
После завершения фронта наступает стадия формирования вершины импульса, длительность которой определяется временем пребывания транзистора в состоянии динамического насыщения, при котором как коллекторный ток /, так и ток базы in изменяются. [23]
Как и в предыдущем случае, формирование вершины импульса заканчивается в момент рассывания избыточного заряда в базе транзистора. Однако при этом характерен более медленный процесс восстановления напряжения на коллекторе транзистора из-за блокирования запертым диодом Д1 положительной обратной связи. [24]
 |
Бло-кинг-генератор с катодным контуром. а - эквивалентная схема. 6 - вольт-амперные характеристики катодного двухполюсника. [25] |
Эта характеристика соответствует начальным условиям стадии формирования вершины импульса. [26]
При наличии нагрузки и малой величине L формирование вершины импульса заканчивается при меньшем значении UCB и, следовательно, период автоколебаний оказывается меньше. [27]
Заметим, что в ламповом каскаде на формирование вершины импульса влияет также и цепь экранной сетки. Здесь спад вершины импульса связан со скачком экранного тока лампы и постепенным, ввиду наличия блокирующего конденсатора, изменением напряжения на экранной сетке. [28]
На рис. 10.11 показано графическое определение момента окончания формирования вершины импульса. Как видно из рисунка к концу формирования импульса длительностью ta Зтр заряд не успевает нарасти до стационарного значения, определяемого током / б - Это означает, что длительность импульса получается меньше, чем найденная по (10.26), которая не учитывает инерционность транзистора. [29]
При конечной индуктивности Lm намагничивания трансформатора во время формирования вершины импульса происходит нарастание тока намагничивания. Поэтому, как следует из уравнения ( И-1), крутизна участка 2 - 3 характеристики ( рис. 11.3) при гт 0 будет большей. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5