Cтраница 1
Формирование среза происходит вначале в активной области, а затем в области отсечки. [1]
Формирование среза ( спада) импульса также может происходить в разных режимах, причем возможны случаи изменения граничных условий ( например, входных токов) в самом переходном процессе. В работах [ 4.1, 4.111 получено большое количество достаточно сложных выражений для определения времени выключения транзистора при различных соотношениях входных и выходных токов, поэтому здесь приводить их нецелесообразно. Следует отметить основные особенности этих расчетов. [2]
Рассмотрим формирование среза выходного импульса. Будем считать, что заканчивается положительная полуволна входного сигнала. Отрицательное напряжение на входе вызывает быстрое запирание диода и восстановление его большого обратного сопротивления. [3]
Процесс формирования среза выходного импульса начинается со скачка напряжения А, вызванного делением скачка входного напряжения на емкостном делителе СакСн. Отрицательное напряжение, возникающее при формировании этого скачка, выключает диод. [4]
Задача формирования НЧ среза петлевого усиления так же, как и задача формирования ВЧ среза, имеет неединственное решение. Кроме того, допуск на применяемые элементы снижает точность решения и в результате возникает необходимость уточнения выбранного варианта решения при стандартных номинальных значениях емкостей конденсаторов. [5]
Для описания формирования среза используется несколько постоянных времени, выражения для которых содержат бесконечные ряды вследствие расчета с помощью уравнения непрерывности, но по существу определяемых размерами активной области базы и эффективным временем жизни для неосновных носителей в этой области. [6]
В противном случае при формировании среза триод попадает в область отсечки, где скорость изме-недия тока коллектора определяется постоянной времени Тот. [7]
Это подтверждает вывод, что формирование среза в данном режиме определяется только параметрами внешней цепи транзистора. [8]
Ток намагничивания трансформатора / ц во время формирования среза можно считать постоянным, определив его следующим образом. [9]
После выхода из области насыщения Т2 начинается стадия формирования среза. [10]
ТК происходит в два этапа: рассасывание избыточного заряда и формирование среза выходного сигнала. [11]
Задача формирования НЧ среза петлевого усиления так же, как и задача формирования ВЧ среза, имеет неединственное решение. Кроме того, допуск на применяемые элементы снижает точность решения и в результате возникает необходимость уточнения выбранного варианта решения при стандартных номинальных значениях емкостей конденсаторов. [12]
В момент времени / 3 завершается рассасывание носителей, транзистор выходит из области насыщения и начинается формирование среза. [13]
Накопление носителей в базе паразитного транзистора ( в период насыщения) влияет также на продолжительность стадии формирования среза. Когда ключ запирается, требуется некоторое время для рассасывания оставшихся избыточных носителей из базы как рабочего, так и паразитного транзистора. [14]
Время задержки среза Гздср и длительность среза t 1 в зависимости от того, в акой области протекает формирование среза выходного импульса, будут различными. При этом возможны следующие случаи. [15]