Формирование - срез
Cтраница 2
После завершения процесса рассасывания транзистор ключевого каскада переходит в активный режим. Начинается формирование среза выходного импульса напряжения. Коллекторный ток уменьшается от значения / кн, стремясь к уровню / Каж2 с постоянной времени Ээ. Процесс уменьшения коллекторного тока от / кп до / ко, близкого к нулю, происходит весьма быстро, особенно при большом запирающем токе базы. Длительность этого процесса составляет лишь малую долю от длительности среза выходного импульса; существенно большую длительность имеет процесс заряда емкости Ск. После отсечки коллекторного тока эта емкость продолжает заряжаться от источника Е через RK. [16]
После завершения процесса рассасывания транзистор ключевого каскада переходит в активный режим. Начинается формирование среза выходного импульса напряжения. [17]
После рассасывания избыточных носителей коллекторный переход смещается в обратном направлении и, когда напряжение на переходе достигает нескольких единиц фт, происходит спад тока коллектора. Начинается стадия формирования среза выходного импульса. [18]
 |
Осциллограмма тока коллектора при инверсном запирании ключа. [19] |
При соблюдении условий ( 9) удается заметно уменьшить влияние емкостей коллекторного и эмиттерного переходов, а также паразитной емкости измерительной схемы, и тогда скорость изменения тока коллектора определяется постоянной времени отсечки, В. При инверсном запирании формирование среза выходного импульса протекает в области отсечки и, если соблюдены условия ( 9), длительность среза / Ср определяется постоянной времени отсечки. [20]
В транзисторных схемах длительность среза обычно оказывается несколько меньше длительности фронта. Это объясняется появлением всплеска тока в базовой цепи ( см. рис. 7.2), который ускоряет формирование среза выходного импульса. [21]
После рассасывания избыточных носителей коллекторный переход смещается в обратном направлении. Когда напряжение на переходе достигает нескольких единиц фг, ток коллектора резко спадает и начинается стадия формирования среза выходного импульса. [22]
Стадия рассасывания избыточных носителей, накопленных у р-п переходов, количественно характеризуется временем рассасывания tvac, определяемым как время, прошедшее с момента подачи запирающего импульса до момента смещения р-п переходов в обратном направлении. В схемах на униполярных транзисторах эта стадия отсутствует. После запирания р-п переходов и перекрытия канала униполярного транзистора начинается стадия формирования среза выходного импульса, которая количественно характеризуется двумя величинами: временем задержки / а, определяемым как время, в течение которого срез выходного импульса изменяется на 0 1 от своего амплитудного значения, и длительностью среза выходного импульса tcp, представляющей собой время, в течение которого выходной импульс спадает от 0 9 до 0 1 своего амплитудного значения. [23]
 |
Временные диаграммы для усилителя-органи-чителя с токоогргничивающей цепью. [24] |
Конденсатор Сэ способствует и уменьшению длительности среза. В момент окончания входного импульса он начинает разряжаться. Разрядный ток приводит к образованию отрицательного всплеска тока базы, благодаря чему ускоряется формирование среза. [25]
В импульсных схемах при отпирании и запирании ключевого элемента происходят переходные процессы, продолжительность которых определяет быстродействие ключевого элемента. При запирании ключа также различают две стадии: рассасывание избыточных носителей, накопленных у р-п переходов, и формирование среза выходного импульса. [26]
 |
Распределение концентрации эквивалентной примеси в диффузионном диоде. [27] |
Наиболее близко к прямоугольной форме импульсы формируются в диффузионных диодах, обладающих плавным р-п переходом. При неравномерной ( эквивалентной) примеси в базе диода ( рис. 2 - 18) из-за ионизированных доноров, которых меньше возле р-п перехода и больше в глубине базы, возникает внутреннее электрическое поле Е, направленное к р-п переходу. Во-вторых, способствует освобождению базы от оставшихся неравновесных носителей ( дырок) после сформирования плоской вершины импульса обратного тока, что и приводит к значительному сокращению времени формирования среза прямоугольного импульса. [28]
Процесс установления напряжения на коллекторе открывшегося транзистора аналогичен отпиранию транзисторного ключа с форсирующей емкостью, он происходит не мгновенно. Пока транзистор Т был закрыт, конденсатор С, был разряжен. Под действием этого тока нарастает ток коллектора г, а напряжение на коллекторе уменьшается, поэтому коллекторный ток нарастает с убывающей скоростью. На этом процесс формирования среза заканчивается. Этот ток в процессе формирования среза определяется емкостью конденсатора С. Чем больше емкость, тем медленнее конденсатор заряжается, тем медленнее уменьшается ток базы. [29]
После этого напряжение ыб ( 0 оказывается зафиксированным на уровне еоб и никаких дальнейших изменений напряжения на конденсаторе не происходит. Исходное напряжение на конденсаторе восстанавливается в процессе формирования выходного импульса. Никакого дополнительного времени восстановления для подготовки расширителя импульсов к работе после формирования среза выходного импульса не требуется. [30]
Страницы: 1 2 3