Формирование - фронт - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
"Я люблю путешествовать, посещать новые города, страны, знакомиться с новыми людьми."Чингисхан (Р. Асприн) Законы Мерфи (еще...)

Формирование - фронт

Cтраница 1


1 Форма импульса коллекторного тока транзистора в режиме насыщения. [1]

Формирование фронта и спада, длительность которых обозначена через t и Ф2, происходит в активной области.  [2]

Формирование фронта отрицательного импульса - ми или - Ua происходит аналогично в момент перехода через нуль от положительных к отрицательным мгновенным значениям мвх. При этом переключается в открытое состояние транзистор VT2 ( VT1 закрывается) током ос г и, пропорциональным производной тока гл. Схема реального АДП содержит трансреактор с двумя первичными обмотками, включенными в цепь токов коллектора каждого из транзисторов и выходной трансформатор. Диоды на входе разделяют цепи входного тока и тока обратной связи.  [3]

4 Фронты фильтрования и выходные кривые в ионитных фильтрах. [4]

На формирование фронта фильтрования влияют также гидродинамические процессы, определяемые скоростью фильтрования, структурой зернистого слоя, конструкцией дренажных устройств и рядом других факторов.  [5]

Стадия формирования фронта количественно характеризуется двумя величинами: временем задержки выходного импульса t3, определяемым как время, прошедшее с момента подачи входного импульса до момента нарастания выходного импульса до уровня 0 1 от своего установившегося значения, и длительностью фронта выходного импульса / ФР, в течение которого выходной импульс нарастает от 0 1 до 0 9 своего установившегося значения.  [6]

7 Схема защиты транзисторного ключа от пробоя при отключении трансформатора. [7]

При формировании фронта и плоской вершины сопротивление Кш не оказывает влияния на процессы в схеме, так как диод закрыт.  [8]

При формировании фронта включения t происходит изменение напряжения между коллектором и эмиттером транзистора. Поэтому при вычислении ( необходимо учитывать влияние коллекторной и нагрузочной емкостей.  [9]

После окончания формирования фронта в момент времени t3 транзистор переходит в режим насыщения. Коллекторный переход смещается в прямом направлении.  [10]

В процессе формирования фронта потенциал коллектора ( а следовательно, и, катода - диода) лавинообразно повышается, и диод запирается, если потенциал его анода ( с учетом продолжающегося воздействия и ( а и постоянного напряжения - Ек) будет менее положительным.  [11]

Во время формирования фронта начинается перезаряд последующего конденсатора, что частично влияет на величину и стабильность времени задержки.  [12]

Во время формирования фронта и спада для упрощения расчетов примем изменения коллекторного тока и напряжения линейными, а длительности обоих фронтов одинаковыми.  [13]

На этапе формирования фронта включения различают три стадии.  [14]

15 Двусторонний ограничитель с параллельно включенными диодами. [15]



Страницы:      1    2    3    4