Формирование - фронт - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Коэффициент интеллектуального развития коллектива равен низшему коэффициенту участника коллектива, поделенному на количество членов коллектива. Законы Мерфи (еще...)

Формирование - фронт

Cтраница 3


Первая стадия характеризуется временем формирования фронта, вторая - коэффициентом защитного действия - величиной, обратной скорости параллельного переноса сформированного фронта. В первой стадии процесса фронт сорбированного вещества продвигается с наибольшей скоростью. Это наблюдается в верхних слоях колонки. После этого скорость быстро падает и стремится к некоторой постоянной величине. При этом каждый элементарный объем хроматографи-руемого раствора, проходящий через данный сорбент, продвигается по его элементарным слоям, степень использования которых меняется от единицы до минимальной величины.  [31]

Наиболее детально изучены процессы формирования фронта зоны и его параллельного переноса вдоль хромато-графической колонки. Такие кривые характеризуют ширину фронта зон компонентов и скорость его перемещения, но не дают характеристики ширины самих зон и их расположения в колонке, поэтому на основании таких данных нельзя судить об эффективности разделения двух или нескольких ионов и влиянии на нее различных параметров.  [32]

33 Форма импульса выходного напряжения. [33]

На начальной стадии - стадии формирования фронта, работа триода протекает в активной области. При этом благодаря действию положительной обратной связи, обеспечиваемой соответствующим включением вторичной обмотки импульсного трансформатора, происходит лавинообразное нарастание входного и выходного токов. Этот процесс продолжается до тех пор, пока транзистор не попадает в область насыщения и, следовательно, перестает обладать усилительными свойствами. Количественная характеристика этой стадии в основном определяется временем нарастания фронта / фр, под которым будем понимать время, в течение которого коллекторное напряжение изменяется от 10 до 90 % своего амплитудного значения.  [34]

После отпирания транзистора начинается стадия формирования фронта, которая завершается переходом транзистора в область насыщения. На этой стадии переходный процесс характеризуется временем задержки t3K ( прошедшем с момента отпирания транзистора до момента возрастания выходного импульса на 0 1) и длительностью фронта / фр выходного импульса.  [35]

Спустя время тм после завершения формирования фронта зона массопередачи переместится вниз на расстояние / 0 и займет положение, показанное на рис. 14.18 5: верхний и нижний участки протяженностью по IQ каждый.  [36]

На рис. 12.18, а показано формирование фронта затекающей ударной волны. Из анализа данных рисунка видна сложная картина установления давления: отражение волны от стенок, резкое снижение давления на ближней к взрыву стенке канала за счет возникающей на срезе канала волны разрежения и огромная ( до 10 - 15 раз) разница в значении фронтового давления на противоположной стенке. Как видно из графика, на глубине 16м ( примерно 5 диаметров) давление во фронте практически выровнялось.  [37]

В блокинг-генераторе в большей части периода формирования фронта изменение входного напряжения заметно превышает изменение напряжения на эмит-терном переходе. Поэтому естественно предположить, что на этом этапе входное сопротивление схемы в основном определяется объемным сопротивлением базы, и поскольку в течение нарастания фронта последнее не успевает заметно модулироваться, то rBJL - гб также мало изменяется. Экспериментальная проверка подтверждает правильность этого предположения.  [38]

В связи с тем что процессы формирования фронта и спада импульса аналогичны, их длительность примерно одинакова. Инерционность транзисторов способствует некоторому удлинению фронта и спада генерируемых импульсов, однако для современных транзисторов их длительность не превышает десятков наносекунд.  [39]

В связи с тем что процессы формирования фронта и среза импульса аналогичны, их длительность примерно одинакова. Инерционность транзисторов способствует некоторому удлинению фронта и среза генерируемых импульсов, однако для современных транзисторов их длительность не превышает десятков наносекунд.  [40]

Инчиным [116] впервые последовательно решены задачи формирования фронтов динамики сорбции при действии продольных квазидиффузионных эффектов. Исследования в области теории радиальной динамики сорбции имеют важное технологическое значение, так как в химической технологии находят применение цилиндрические сорберы.  [41]

42 Схема формирования фронта равных концентраций в неподвижном слое зернистого сорбента. [42]

Первый из них носит название периода формирования фронта равных концентраций и продолжается до тех пор, пока часть слоя сорбента не будет полностью насыщена сорбируемым веществом. Важной характерной чертой этого периода является постоянное уменьшение скорости передвижения сорбируемого вещества по высоте слоя сорбента.  [43]

На рис. 1 изображены отдельные этапы формирования фронта адсорбированного вещества на адсорбенте. Позиции б соответствуют начальному положению, при котором на адсорбент нанесено некоторое количество этого вещества. Остальное пространство в колонне занято газом-носителем, адсорбция которого равна нулю. Газ-носитель может входить н удаляться из адсорбера.  [44]

Инчиным [116] впервые последовательно решены задачи формирования фронтов динамики сорбции при действии продольных квазидиффузионных эффектов. Исследования в области теории радиальной динамики сорбции имеют важное технологическое значение, так как в химической технологии находят применение цилиндрические сорберы.  [45]



Страницы:      1    2    3    4