Формовка - вывод
Cтраница 1
 |
Групповая подгибка.| Машинная подрезка и подгибка выводов транзисторов. [1] |
Формовка выводов вручную допускает возможность большего разброса в межцентровых расстояниях. [2]
Формовка выводов и вращение их вокруг оси запрещаются. При установке транзистора на теплоотвод чистота контактной поверхности теплоотвода должна быть не менее 2 5, неплоскостность контактной поверхности не более 0 03 мм. [3]
Формовка выводов ИС не допускается. [4]
 |
Автомат для формовки выводов радиоэлементов. [5] |
Формовка выводов радиоэлементов производится в & иде П - обраэной прямой формы и П - образной с загибом. [6]
Формовка выводов ИС не допускается. [7]
 |
Установка микросхем на коммутационные платы. [8] |
Формовка жестких штыревых выводов не допускается. Микросхемы с плоскими выводами могут устанавливаться с одной или двух сторон платы, между платами, в отверстиях платы. [9]
Формовку выводов и монтаж КМДП-микросхем желательно производить с применением антиэлектростатических браслетов. После выполнения монтажа надо его тщательно проверить, используя при этом авометр. [10]
Запрещается формовка выводов и вращение их вокруг оси. При установке транзистора на теплоотвод чистота контактной поверхности теплоотвода должна быть не менее 2 5, неплоскостность контактной поверхности - не более 0 03 мм. [11]
Запрещается формовка выводов и вращение их вокруг оси. При установке транзистора на теплоотвод чистота контактной поверхности теплоотвода должна быть не менее 2 5, неплоскост-несть контактной поверхности - не более 0 03 мм. [12]
Запрещается формовка выводов и вращение их вокруг оси. При установке транзистора на теплоотвод чистота контактной поверхности теплоотвода должна быть не менее 2 5, неплоскостность контактной поверхности - не более 0 03 мм. [13]
Допускается одновременная формовка выводов на расстоянии не менее 5 мм от корпуса при радиусе изгиба не менее 1 мм. [14]
Допускается одновременная формовка выводов транзистора не ближе 5 мм от корпуса. [15]
Страницы: 1 2 3 4