Cтраница 1
Приведенные расчетные формулы позволяют установить распределение температуры в любой точке скважины при наличии и отсутствии зоны многолетней мерзлоты с удовлетворительной точностью. [1]
![]() |
Кривая восстановления давления в полулогарифмических координатах. [2] |
Приведенные расчетные формулы выведены исходя из предположения об однородности пласта, но, как показали исследования, их с достаточным основанием можно применять и по отношению к реальным пластам. [3]
Приведенные расчетные формулы далеко не всегда достаточны для практического использования. [4]
Приведенные расчетные формулы не могут охватить все разнообразие условий теплообмена при кипении. Поэтому результаты расчетов рекомендуется сопоставлять с опытными данными или с эмпирическими уравнениями, например с формулами, приведенными в [ V1I - 4, стр. [5]
Приведенные расчетные формулы справедливы для случая чистой молекулярной диффузии без учета взаимного влияния тепло - и массообмена. [6]
![]() |
H-29. Зависимость. [7] |
Приведенные расчетные формулы не могут охватить все разнообразие условий теплообмена при кипении. Поэтому результаты расчетов рекомендуется сопоставлять с опытными данными или с эмпирическими уравнениями, например с формулами, приведенными в [ VII-4, стр. [8]
![]() |
Обрезиненный валик. [9] |
Приведенные расчетные формулы для простейших и наиболее распространенных в вибромашинах резиновых УЭ пригодны для казан-ных видов нагружения. [10]
![]() |
Расчетная схема.| Эпюры распределения напряжений н соединениях с натягом. [11] |
Приведенные расчетные формулы для определения натяга, напряжений и упру гих перемещений получены при раесмот - рении задачи как плоской, т.е. в предположении, что сопрягаемые детали имеют одинаковую длину. [12]
![]() |
Обрезиненный валик. [13] |
Приведенные расчетные формулы для простейших и наиболее распространенных в вибромашинах резиновых УЭ пригодны для казан-ных видов нагружения. [14]
Приведенные расчетные формулы и графики могут быть использованы при разработке импульсных схем на транзисторах и аппаратуры для измерения импульсных параметров транзисторов. [15]