Cтраница 4
Действительно, уменьшение гС снижает ту часть высокочастотных потерь преобразования, которая зависит от емкости запирающего слоя, и поэтому полупроводниковый материал с большой подвижностью носителей априори является предпочтительным. Но количественная формулировка коэффициента качества ( 5) не является реально применимой к выбору полупроводникового материала - во всяком случае к выбору оптимального удельного сопротивления данного материала. Она исходит из невыполнимого соотношения ( 3) и не учитывает ни обратного тока, отличного от тока насыщения А, ни величины А, ни, наконец, возможностей, которые открывает создание неоднородных полупроводниковых структур. [46]