Имплантация - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Если вы спокойны, а вокруг вас в панике с криками бегают люди - возможно, вы что-то не поняли... Законы Мерфи (еще...)

Имплантация

Cтраница 2


16 Исследование клеточной токсичности путем экспериментов на культивацию клеток. [16]

При имплантации пластины из сплава Ti - Ni связывающая структура слабая, существует много участков, в которых образуется новая костная ткань. На поверхности нержавеющей стали обнаружена точечная коррозия, на поверхности сппава Ti - Ni ее нет, биологическая структура переходит в прочно связанную с ней костную ткань. При имплантации нержавеющей стали в биологических структурах обнаруживаются растворенные атомы Fe, Cr, Ni, при исследовании сплава Ti - Ni растворенные атомы Ti и Ni почти не обнаруживаются, растворение сплава происходит в чрезвычайно малой степени.  [17]

При имплантации яйцеклетки в стенку матки лютеинизирующий гормон образуется даже в большем количестве. Стимуляция образования этого гормона происходит, по-видимому, под влиянием нервных импульсов, поступающих из матки, начиная с того времени, когда в нее имплантировалось яйцо. Вследствие усиленного образования лютеинизирующего гормона желтое тело в яичнике не заменяется рубцовой тканью, а разрастается ( желтое тело беременности) и выделяет соответственно большое количество прогестерона.  [18]

19 Схема установки ионной имплантации. 1 - источник высокого напряжения. 2 - газовый источник. 3 - ионный источник. 4 - фокусирующая линза. 5 - магнитный сепаратор. 6 - ускоряющий электрод. 7 - отклонение по Y. 8 - отклонение по X. 9 - щель. 10 - цилиндр Фарадея. 11-образец. 12 - мишень. 13 - указатель ионного тока. [19]

Возможна локальная имплантация примесей в подложку путем маскирования участков подложки слоем фоторезиста.  [20]

Глубина имплантации определяется энергией ионов. Даже если на лицевой поверхности нанесен окисный слой, возможна имплантация примеси в подложку через этот слой. Количество внедренной примеси можно строго контролировать. Отжиг после имплантации позволяет электрически активизировать примесь и управлять ее концентрацией.  [21]

Однородность имплантации обеспечивает система сканирования. В зависимости от необходимости отклонения пучка в одном или двух направлениях используют либо две параллельные пластины, либо последовательно по ходу движения пучка две пары взаимно перпендикулярных пластин. Имплантация ионов в мишень осуществляется в вакуумной камере. Точное измерение силы тока пучка проводится с помощью калориметра, цилиндра Фа-радея и кулонометра.  [22]

Процесс имплантации, который имеет место при плазменной обработке, - это один из наиболее эффективных методов поверхностной модификации полимерных материалов. Плазма активирует молекулы газа, в частности, кислорода и азота.  [23]

Метод имплантации каналлируемых ионов кремния предусматривает осаждение поликристаллического кремния на изолирующую подложку с последующей имплантацией каналлируемых ионов кремния. Имплантируемые ионы часть поликристаллической пленки превращают в аморфный слой, а часть оставляют неповрежденной. Неповрежденными остаются зерна, у которых направление кристаллографической оси совпадает с направлением движения каналлируемых ионов. Эти зерна и служат затравкой для роста монокристалла при последующей рекристаллизации.  [24]

Опыты по имплантации этих пленок и сеток на животных показали, что раневое воспаление почти не наступает.  [25]

26 Внутриутробная смертность плода и смертность новорожденных и число случаев анормальных животных на момент родов после облучения в различные периоды ( разделенные промежутком в 24 ч до и после оплодотворения. Изображение полусхематичное. Применявшиеся дозы. 400 р до оплодотворения, 200 р после оплодотворения. Анормальные особи могут иметь значительно больше одной аномалии [ 231J. [26]

Эмбрионы до имплантации ( до пятого дня) очень радиочувствительны в том смысле, что 43 - 83 % из них погибают до 12-го дня, причем самые ранние эмбрионы наиболее чувствительны. Эмбрионы в этих стадиях до имплантации, выживающие после облучения, обычно не дают заметных уродств. Затем следует период 6 5 - 12 5 дня, когда облучение вызывает наибольшую частоту уродств после рождения.  [27]

ЭКС абсолютны Имплантация постоянного ЭКС при инфаркте миокарда ( ИМ): При возникновении при ИМ нарушений АВ проводимости рекомендуется: при брадикардических нарушениях вначале показана временная стимуляция Дальнейшая тактика определяется локализацией инфаркта. ИМ задней стенки: при задней блокаде нарушения АВ проводимости часто легко коррегируются медикаментозно. Вопрос об имплантации ЭКС следует решать по прошествии 8 - 10 дней ИМ передней стенки: нарушение проводимости при этой локализации сегда означает внутрижелудочковую блокаду проведения, которая создает серьезный риск развития синкопальных состояний и внезапной смерти и профилактическая имплантация ЭКС показана Исключая ситуации вызваные приемом препаратов. Синдром гиперчувствительносги каротидного синуса: ЭКС абсолютно показана при синкопальных состояниях, возникающих в связи с раздражением каротидного синуса, которое возникает спонтанно или при вагусных воздействиях. Относительными показаниями являются обморочные состояния неясной природы, при которых давление на каротидный синус приводит к асистолии более 3 секунд.  [28]

Интерес к имплантации стимулируется тем, что этот метод имеет ряд принципиальных преимуществ по сравнению с другими методами легирования, в том числе диффузией и эпитаксией. К этим достоинствам следует отнести: во-первых, универсальность и гибкость метода, который позволяет получить необходимые концентрации легирующей примеси даже тогда, когда другие методы неприменимы, например ионной имплантацией бора и фосфора в алмаз были созданы слои с проводимостью в 1010 раз выше, чем у исходного кристалла; во-вторых, имплантация ионов может осуществляться при низких температурах ( вплоть до комнатных), благодаря этому возникает возможность сохранить исходные электрофизические свойства кристаллов, если удается ликвидировать возникающие радиационные дефекты в такой структуре; в-третьих, большие возможности полной автоматизации процесса легирования, что чрезвычайно важно для резкого повышения как производительности труда, так и воспроизводимости электрических параметров изготовленных приборов.  [29]

Прогестерон содействует имплантации яйца еще и потому, что тормозит сокращения мускулатуры матки и тем самым делает возможным достаточно продолжительное соприкосновение яйцеклетки с одним и тем же участком слизистой оболочки, без чего не может произойти имплантация яйца.  [30]



Страницы:      1    2    3    4    5