Вторичная фосфоресценция

Cтраница 1

Вторичная фосфоресценция, наблюдаемая после кратковремен - ного облучения окрашенного кристалла F-светом, может быть вызвана либо преобразованием устойчивых центров в малоустойчивые центры окраски, либо вследствие вторичной локализации высвобождаемых действием света F-электронов на мелких уровнях захвата, для последующего освобождения с которых при комнатной температуре достаточны тепловые флуктуации решетки. [1]

У некоторых фосфоров вторичная фосфоресценция является основным процессом, возникающим под действием высвечивающих лучей. У таких фосфоров непосредственная оптическая вспышка может быть очень малой. Вторичная фосфоресценция развивается но сразу, а постепенно, со значительной инерцией, что соответствует большой длительности вторичного свечения, продол / кающегося заметное время и после прекращения действия инфракрасных лучей. Поэтому возбужденные фосфоры, обладающие большой вторичной фосфоресценцией и незначительной оптической вспышкой, при облучении их инфракрасными лучами медленно разгораются, соответственно инерционному развитию вторичной фосфоресценции. [2]

Как указывалось, механизм вторичной фосфоресценции состоит в том, что при поднятии в полосу проводимости электронов, локализованных на уровнях вспышки, часть из нихнерекомбинирует, а претерпевает повторную локализацию на мелких уровнях фосфоресценции, с которых в дальнейшем освобождается термическим путем, создавая свечение вторичной фосфоресценции. Энергия повторных фосфоресценции черпается из энергии соответствующей вспышки и определяется ее величиной. Так как яркость вспышки зависит от величины аккумулированной световой суммы и от распределения электронов по уровням локализации, то и вторичные фосфоресценции будут зависеть от этих величин. В частности, величины световых сумм вторичных фосфоресценции, возникающих при повторных вспышках ( рис. 186), должны дать в зависимости от аккумулированных фосфором световых сумм SB такой же ряд кривых, какой получается для самих интенсивностей вспышек. [3]

После прекращения действия инфракрасных лучей и окончания вторичной фосфоресценции интенсивность свечения при затухании становится меньше, чем у фосфора, не подвергавшегося действию инфракрасных лучей. Общая длительность высвечивания КС1, Т1ГЛ - фосфоров продолжается несколько часов. [4]

Величины световых сумм S вторичных фосфоресценции у Са8 ( 1 - 8гЗ ( 2 - Сс 8т Ьа - фосфора с различным первоначальным возбуждением п функции остающихся в фосфоре аккумулированных световых сумм Sa вспышки. [5]

Основным выводом из описанной серии опытов с вторичной фосфоресценцией, помимо доказательства раздельного существования уровней вспышки и уровней фосфоресценции, является также вывод о малом влия-нии повторных локализаций на высвечивание CaS - SrS - Ce, Sm, La-фосфора и относительно малом числе таких локализаций у этого типа фосфоров. [6]

После освещения такого кристалла светом в области F-полосы наблюдается вторичная фосфоресценция, которая может быть многократно воспроизведена действием света вплоть до полного обесцвечивания кристалла. Но при этом интегральная световая сумма не превышает при данной концентрации F-центров общего числа квантов, излучаемых кристаллом при непрерывном действии видимого света ( вспышки) до полного обесцвечивания кристалла. [7]

Явление вторичных фосфоресценции у CaS ( l SrS ( 2 - Cr-Sm-La - фосфора. Слсра кривая естественной фосфоресценции 7ф и кривая оптического высве чнванпя при непрерывном действии инфракрасных луче и 7 ( в масштабе 0 1 по отношению к крипой фосфоре сцен-ции. Справа стрелками указаны величины оптических секундных, вспышек в масштабе 0 1 и кривые позликакщих после них вторичных фосфоресценции. [8]

Се Sm La-фосфор возникает вспышка свечения, по окончании которой остается длительное свечение вторичной фосфоресценции. Явление может быть повторено несколько десятков раз. [9]

Свечение при действии длинноволновых лучей состоит из двух частей: свечения, возникающего при рекомбинации электронов, поднятых с глубоких уровней действием длинноволновой радиации, и из вторичной фосфоресценции, происхождение которой было описано выше. Оба свечения связаны друг с другом, вследствие чего вспышка не сразу достигает своей полной силы, так как в первые моменты возбуждения часть электронов, освобожденных с глубоких уровней, претерпевает повторные локализации на мелких уровнях. Свечение достигает своей полной силы лишь после того, как повторные локализации компенсируются вторичной фосфоресценцией. В дальнейшем свечение затухает по мере уменьшения числа электронов на глубоких уровнях. При прекращении действия высвечивающих лучей свечение вспышки прекращается мгновенно, но остается длительная вторичная фосфоресценция. [10]

Кривые температурного высвечивания NaCl Ni-фосфора. [12]

Под действием инфракрасных лучей электроны с глубоких уровней локализации поднимаются в полосу проводимости, однако лишь часть из них претерпевает непосредственную рекомбинацию, давая вспышку, другая же часть электронов повторно локализуется. Электроны, повторно локализовавшиеся на неглубоких уровнях, и дают вторичную фосфоресценцию. Таким образом, при импульсном действии инфракрасных лучей происходит перемещение части электронов с глубоких уровней локализации на мелкие. [13]

Каждое облучение возбужденного кристаллофосфора импульсом ИК-лучей вызывает кратковременную вспышку его свечения ( оптическая вспышка), возникающую при рекомбинации оптических электронов. Кроме того, появляется слабое, но довольно продолжительное послесвечение - вторичная фосфоресценция. Вторичная фосфоресценция возникает при задержанной рекомбинации оптических электронов, успевших первоначально локализоваться на ловушках, а затем медленно освобождающих с них тепловым путем. Величина энергии минимальных квантов, достаточных для освобождения ловушек данной системы, называется их оптической глубиной, которая превышает термическую глубину. [14]

Страницы: 1 2