Cтраница 2
У некоторых фосфоров вторичная фосфоресценция является основным процессом, возникающим под действием высвечивающих лучей. У таких фосфоров непосредственная оптическая вспышка может быть очень малой. Вторичная фосфоресценция развивается но сразу, а постепенно, со значительной инерцией, что соответствует большой длительности вторичного свечения, продол / кающегося заметное время и после прекращения действия инфракрасных лучей. Поэтому возбужденные фосфоры, обладающие большой вторичной фосфоресценцией и незначительной оптической вспышкой, при облучении их инфракрасными лучами медленно разгораются, соответственно инерционному развитию вторичной фосфоресценции. [16]
Остаток световой суммы, сохранившийся в фосфоре после 30 односекундных вспышек в пределах ошибок опыта, оказался равным остатку световой суммы после 30 сек. Затухание каждой новой фосфоресценции протекает по гиперболическому закону. Отношение световой суммы вторичной фосфоресценции к световой сумме соответствующей вспышки несколько возрастает с номером вспышки. Общая площадь кривых всех вторичных фосфоресценции приблизительно равна площади кривой основной фосфоресценции, высвечивающейся после возбуждения фосфора. Так как у данного класса фосфоров энергия вторичных фосфоресценции мала по сравнению с энергией вспышки, то количество электронов, вторично локализующихся на мелких уровнях фосфоресценции, невелико. Значительно больше ( - в 20 раз) может быть число электродов, вторично попадающих на глубокие уровни, однако в среднем каждый из электронов, освобожденный с уровней вспышки, претерпевает все же не более одной повторной локализации. [17]
Свечение при действии длинноволновых лучей состоит из двух частей: свечения, возникающего при рекомбинации электронов, поднятых с глубоких уровней действием длинноволновой радиации, и из вторичной фосфоресценции, происхождение которой было описано выше. Оба свечения связаны друг с другом, вследствие чего вспышка не сразу достигает своей полной силы, так как в первые моменты возбуждения часть электронов, освобожденных с глубоких уровней, претерпевает повторные локализации на мелких уровнях. Свечение достигает своей полной силы лишь после того, как повторные локализации компенсируются вторичной фосфоресценцией. В дальнейшем свечение затухает по мере уменьшения числа электронов на глубоких уровнях. При прекращении действия высвечивающих лучей свечение вспышки прекращается мгновенно, но остается длительная вторичная фосфоресценция. [18]
Как указывалось, механизм вторичной фосфоресценции состоит в том, что при поднятии в полосу проводимости электронов, локализованных на уровнях вспышки, часть из нихнерекомбинирует, а претерпевает повторную локализацию на мелких уровнях фосфоресценции, с которых в дальнейшем освобождается термическим путем, создавая свечение вторичной фосфоресценции. Энергия повторных фосфоресценции черпается из энергии соответствующей вспышки и определяется ее величиной. Так как яркость вспышки зависит от величины аккумулированной световой суммы и от распределения электронов по уровням локализации, то и вторичные фосфоресценции будут зависеть от этих величин. В частности, величины световых сумм вторичных фосфоресценции, возникающих при повторных вспышках ( рис. 186), должны дать в зависимости от аккумулированных фосфором световых сумм SB такой же ряд кривых, какой получается для самих интенсивностей вспышек. [19]
Остаток световой суммы, сохранившийся в фосфоре после 30 односекундных вспышек в пределах ошибок опыта, оказался равным остатку световой суммы после 30 сек. Затухание каждой новой фосфоресценции протекает по гиперболическому закону. Отношение световой суммы вторичной фосфоресценции к световой сумме соответствующей вспышки несколько возрастает с номером вспышки. Общая площадь кривых всех вторичных фосфоресценции приблизительно равна площади кривой основной фосфоресценции, высвечивающейся после возбуждения фосфора. Так как у данного класса фосфоров энергия вторичных фосфоресценции мала по сравнению с энергией вспышки, то количество электронов, вторично локализующихся на мелких уровнях фосфоресценции, невелико. Значительно больше ( - в 20 раз) может быть число электродов, вторично попадающих на глубокие уровни, однако в среднем каждый из электронов, освобожденный с уровней вспышки, претерпевает все же не более одной повторной локализации. [20]
У некоторых фосфоров вторичная фосфоресценция является основным процессом, возникающим под действием высвечивающих лучей. У таких фосфоров непосредственная оптическая вспышка может быть очень малой. Вторичная фосфоресценция развивается но сразу, а постепенно, со значительной инерцией, что соответствует большой длительности вторичного свечения, продол / кающегося заметное время и после прекращения действия инфракрасных лучей. Поэтому возбужденные фосфоры, обладающие большой вторичной фосфоресценцией и незначительной оптической вспышкой, при облучении их инфракрасными лучами медленно разгораются, соответственно инерционному развитию вторичной фосфоресценции. [21]
Как указывалось, механизм вторичной фосфоресценции состоит в том, что при поднятии в полосу проводимости электронов, локализованных на уровнях вспышки, часть из нихнерекомбинирует, а претерпевает повторную локализацию на мелких уровнях фосфоресценции, с которых в дальнейшем освобождается термическим путем, создавая свечение вторичной фосфоресценции. Энергия повторных фосфоресценции черпается из энергии соответствующей вспышки и определяется ее величиной. Так как яркость вспышки зависит от величины аккумулированной световой суммы и от распределения электронов по уровням локализации, то и вторичные фосфоресценции будут зависеть от этих величин. В частности, величины световых сумм вторичных фосфоресценции, возникающих при повторных вспышках ( рис. 186), должны дать в зависимости от аккумулированных фосфором световых сумм SB такой же ряд кривых, какой получается для самих интенсивностей вспышек. [22]
У некоторых фосфоров вторичная фосфоресценция является основным процессом, возникающим под действием высвечивающих лучей. У таких фосфоров непосредственная оптическая вспышка может быть очень малой. Вторичная фосфоресценция развивается но сразу, а постепенно, со значительной инерцией, что соответствует большой длительности вторичного свечения, продол / кающегося заметное время и после прекращения действия инфракрасных лучей. Поэтому возбужденные фосфоры, обладающие большой вторичной фосфоресценцией и незначительной оптической вспышкой, при облучении их инфракрасными лучами медленно разгораются, соответственно инерционному развитию вторичной фосфоресценции. [23]
Остаток световой суммы, сохранившийся в фосфоре после 30 односекундных вспышек в пределах ошибок опыта, оказался равным остатку световой суммы после 30 сек. Затухание каждой новой фосфоресценции протекает по гиперболическому закону. Отношение световой суммы вторичной фосфоресценции к световой сумме соответствующей вспышки несколько возрастает с номером вспышки. Общая площадь кривых всех вторичных фосфоресценции приблизительно равна площади кривой основной фосфоресценции, высвечивающейся после возбуждения фосфора. Так как у данного класса фосфоров энергия вторичных фосфоресценции мала по сравнению с энергией вспышки, то количество электронов, вторично локализующихся на мелких уровнях фосфоресценции, невелико. Значительно больше ( - в 20 раз) может быть число электродов, вторично попадающих на глубокие уровни, однако в среднем каждый из электронов, освобожденный с уровней вспышки, претерпевает все же не более одной повторной локализации. [24]
Свечение при действии длинноволновых лучей состоит из двух частей: свечения, возникающего при рекомбинации электронов, поднятых с глубоких уровней действием длинноволновой радиации, и из вторичной фосфоресценции, происхождение которой было описано выше. Оба свечения связаны друг с другом, вследствие чего вспышка не сразу достигает своей полной силы, так как в первые моменты возбуждения часть электронов, освобожденных с глубоких уровней, претерпевает повторные локализации на мелких уровнях. Свечение достигает своей полной силы лишь после того, как повторные локализации компенсируются вторичной фосфоресценцией. В дальнейшем свечение затухает по мере уменьшения числа электронов на глубоких уровнях. При прекращении действия высвечивающих лучей свечение вспышки прекращается мгновенно, но остается длительная вторичная фосфоресценция. [25]