Cтраница 1
Полупроводниковый фотодиод - это полупроводниковый диод, обратный ток которого зависит от освещенности. [2]
![]() |
Конструкция фотодиода. [3] |
Полупроводниковые фотодиоды как фотоэлементы применяются в качестве измерительных датчиков для преобразования оптических величин ( освещенности, температуры пламени и пр. [4]
Полупроводниковые фотодиоды основаны на использовании p - j - д-перехода и характеризуются высокой чувствительностью, малой инерционностью и стабильностью параметров во времени. [5]
В полупроводниковом фотодиоде имеется электронно-дырочный переход, облучаемый светом. [6]
К фототранзисторам относят полупроводниковые фотодиоды и фототриоды, которые конструктивно отличаются от обычных полупроводниковых диодов и биполярных транзисторов лишь тем, что у них в корпусе имеется окно, пропускающее световой поток и фокусирующее его в области п-р-перехода. Фототранзисторы включаются в электрическую цепь также, как и биполярные транзисторы: на них подается напряжение питания в полярности - обратной на коллектор, прямой - на эмиттер. [7]
В случае узкополосного детектирования полупроводниковые фотодиоды имеют rfR3KB ss 10 при 3 Ггц и порядка единицы при 10 Ггц, что значительно больше, чем у фотосопротивлений. [8]
Пере менным сопротивлением является полупроводниковый фотодиод. [9]
![]() |
Принцип оптического гетеродинирования. [10] |
В качестве детектора-смесителя могут быть использованы фотоэлементы, фотоумножители, полупроводниковые фотодиоды, фотосопротивления и другие типы оптических детекторов. [11]
В качестве фотодатчиков для устройств автоматического управления на станках почти исключительно применяются полупроводниковые фотодиоды и фотосопротивления. Вакуумные фотоэлементы вытеснены вследствие их низкой чувствительности; фотоумножители отличаются невысокой стабильностью, относительно большими га - щс баритами и высоким напряжением питания, поэтому применяются лишь в специальных случаях. [12]
В качестве детекторов светового излучения, подключаемых к противоположному концу световода, в основном используют полупроводниковые фотодиоды. За счет внутреннего фотоэффекта оптический сигнал преобразуется в них в электрический. Используют простые рп-диоды, pin - диоды и лавинные фотодиоды. Устройство этих приборов подробно обсуждается в разд. Частотная характеристика определяется не только диффузионными процессами и временами жизни носителей заряда в диодах, но и характеристиками внешнего нагрузочного контура. [13]
Простейшими устройствами подобного типа, как уже упоминалось, являются приборы, основанные на использовании фотоэффекта и теплового действия излучения: вакуумные и полупроводниковые фотодиоды, фотосопротивления, болометры. [14]
![]() |
Градиентометр первого порядка на основе датчиков МОН автоколебательного и фильтрового типов. [15] |