Полупроводниковый фотодиод
Cтраница 2
В качестве фазовращателя часто выступает фотоприемник, поставленный в такой режим по нагрузке, когда его фазовый набег Ф - arctgooRnCnep близок к л / 2, где RH - сопротивление нагрузки Спер - емкость перехода полупроводникового фотодиода. [16]
 |
Принципиальная схема включения С-цепочки с распределенными параметрами. [17] |
Полупроводниковый фотодиод размерами 2X4X0 25мм изготовлен из электронного кремния с удельным сопротивлением 7 5 ом см путем диффузии бора. [18]
Приемное устройство системы передачи информации можно выполнить по схемам прямого усиления с непосредственным детектированием оптического излучения, супергетеродинной, синхродин-ной и др. Независимо от схемы приемного устройства основным его элементом является ПЛЭ. Тип ПЛЭ выбирается в зависимости от вида модуляции, чувствительности, длины волны, полосы модулирующих частот и др. В приемных устройствах с непосредственным детектированием излучения можно применять ФЭУ, фотосопротивления и полупроводниковые фотодиоды, а при модуляции с СВЧ поднесущей - ФЭУ со статическими и динамическими полями и фотоэлементы с бегущей волной. [19]
В описываемой установке применены фотосопротивления из сернистого свинца PbS. Каждый элемент имеет поверхность 0 020X 1 40 дюйма, а зазоры между фотоэлементами равны 0 020 дюйма. Фотосопротивления обладают инерционностью, и длительность импульса фототока больше, чем импульса светового потока, достигая 200 мксек. В других сходных установках применяются полупроводниковые фотодиоды. [20]
В отличие от лазера в светодиоде излучение происходит самопроизвольно, и луч имеет более широкую направленность излучения. Появление лазеров, а также светодиодов еще не решают проблему создания оптических линий связи. Необходимо приемное устройство светового излучения, в качестве которого используются полупроводниковые фотодиоды. [21]
Важнейшими характеристиками при этом являются коэффициент преобразования, динамический диапазон, инерционность, геометрические размеры. При использовании одиночных детекторов первого поколения можно было использовать сцинтилляционные кристаллы с ФЭУ, которые обладают высокой чувствительностью, удовлетворительным динамическим диапазоном ( 104) и малой инерционностью. Применение ФЭУ из-за их значительных габаритов затруднительно при использовании линейки, состоящей из большого числа детекторов. Для этих случаев применяют ионизационные газовые детекторы, полупроводниковые детекторы и сцинтилляционные кристаллы с полупроводниковыми фотодиодами. [22]
Как классифицируются полупроводниковые диоды. Где применяются высокочастотные диоды. Для какой цели служат полупроводниковые фотодиоды. От чего зависит цвет свечения светодиода. Как классифицируются биполярные транзисторы. Что называют коэффициентом передачи по току для транзистора по схеме ОБ. [23]
Страницы: 1 2