Cтраница 2
В лавинных фотодиодах, полученных при помощи обычной планарной диффузионной технологии ( их структура показана штриховой линией на фиг. Это происходит в том случае, если поверхность легирована сильнее, чем база, поскольку тогда электрическое поле в этих частях выше, чем в плоской части перехода. [16]
От других фотоприборов лавинный фотодиод отличается усилением исходного фототока оптически генерируемых носителей в М раз, где М - коэффициент лавинного размножения. [17]
Рабочие параметры некоторых лавинных фотодиодов позволяют перекрыть широкий диапазон волн излучения. Лавинные фотодиоды с барьером Шотки эффективны в видимой и ультрафиолетовой областях спектра. Умножение носителей в них при работе В ультрафиолетовой области спектра стимулируется электронами, что увеличивает обнаружительную способность и произведение М / гр фотодиодов. Германиевые фотодиоды имеют высокую чувствительность в инфракрасной области. Область собственной проводимости в структуре / г - / 7 - / - р - типа кремниевого фотодиода настолько широка, что излучение эффективно поглощается до длины волны 1 1 мкм с высоким квантовым выходом. [18]
![]() |
Сравнительные характеристики различных типов фотодиодов. [19] |
Вместе с тем лавинным фотодиодам присущи такие недостатки, как малая площадь чувствительной площадки, сравнительно большое время восстановления, а также необходимость очень точной стабилизации питающего напряжения и температуры фотодиода. [20]
![]() |
Устройство кремниевого лавинного фотодиода с охранным кольцом ( в и платиново-кремнйевого лавинного фотодиода с барьером Шоттки ( б. [21] |
Физические процессы в лавинном фотодиоде отличаются по сравнению с обычным фотодиодом дополнительным лавинным размножением генерированных светом носителей в запирающем слое электронно-дырочного перехода. [22]
В качестве фотодетектора был применен лавинный фотодиод, чувствительный к излучению ближнего инфракрасного и видимого диапазонов длин волн. [23]
Пороговый поток или пороговая мощность излучения лавинного фотодиода пропорциональны коэффициенту умножения. [24]
На рис. 5.53 представлены типичные для лавинных фотодиодов ВАХ. [25]
![]() |
Устройство ( а и энергетическая диаграмма ( б фотодиода с барьером Шоттки. [26] |
Это явление используется в так называемых лавинных фотодиодах, основой которых может служить не только барьер Шоттки, но и обычный р-п переход. [27]
![]() |
Устройство ( а и энергетическая диаграмма ( б фотодиода с барьером Шоттки. [28] |
На рис. 14 - 18 показано устройство кремниевого лавинного фотодиода с р - n переходом, изготовленного методами Планерной технологии, а также платиново-кремниевого фотодиода с барьером Шоттки. [29]
Таким образом, коэффициент лавинного размножения в лавинном фотодиоде является коэффициентом усиления фототока. [30]