Лавинный фотодиод

Cтраница 3

Таким образом, коэффициент лавинного умножения в лавинном фотодиоде является коэффициентом усиления фототока. [31]

Кремний значительно более подходящий полупроводниковый материал для создания лавинных фотодиодов. На этом материале лучше отработаны основные технологические процессы: диффузия примесей, эпитаксия. [32]

Чтобы избежать пробоя на дефектах ( микроплазмах, для лавинных фотодиодов необходимо изготовление высококачественных переходов. На практике нежелательные эффекты пробоя ограничивают как толщину собственной области, так и площадь фотодиодов. [33]

На рис. 2.22 представлены вольт-амперные характеристики, типичные для лавинного фотодиода. [34]

С целью увеличения чувствительности фотодиодов при одновременном повышении быстродействия в последнее время начали изготавливать лавинные фотодиоды, в которых используется лавинный пробой р - n - перехода или барьера Шоттки. Их отличие от обычных диодов состоит в том, что возникшие в результате светового облучения носители заряда лавинно размножаются в р - n - переходе вследствие ударной ионизации. Внешняя цепь диода строится такой, чтобы режим лавинного пробоя возник только при освещении фотодиода. Увеличение обратного тока через диод происходит в 10 - 104 раз. [35]

К фотоприемникам с внутренним усилением относятся, вообще говоря, и рассмотренные в § 5.45 лавинные фотодиоды. [36]

Типичные характеристики детекторов. [37]

Наиболее распространенными видами детекторов, используемых в волоконной оптике, являются pin - фотодиоды и лавинные фотодиоды. [38]

К фотоприемникам с внутренним усилением относятся, вообще говоря, и рассмотренные в § 2.4 лавинные фотодиоды. [39]

Схемы включения фотоэлектрических преобразователей. [40]

Если требуется высокое быстродействие ( единицы наносекунд), применяются фотодиоды структуры р-г - п и лавинные фотодиоды. [41]

Одним из путей создания быстродействующих фоюприемников с высокой чувствительностью является использование лавинного пробоя, в частности создание лавинных фотодиодов. [42]

Фотодиод с гетеро. [43]

Одним из путей создания быстродействующих фотоприемников с высокой чувствительностью является использование лавинного пробоя, в частности создание лавинных фотодиодов. Если поле в активной зоне фотодиода велико и энергия, приобретаемая фотоносителями тока ( электронами и дырками) в этом поле превышает энергию образования электронно-дырочных пар, то начинается лавинообразный процесс размножения носителей. [44]

В качестве излучателя перспективен одиночный или матричный полупроводниковый инжекционный лазер на гетеропереходах, в качестве приемника - одиночный или матричный фотоприемник - лавинный фотодиод или р - I - п-фотодиод. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5