Фотон - низкая энергия
Cтраница 1
Фотоны низкой энергии, более эффективно поглощаясь веществом, довольно быстро отсеиваются из первоначального пучка. Одновременно средний коэффициент поглощения уменьшается. [1]
 |
Относительное значение трех основных взаимодействий фотонов в веществе. [2] |
Фотоны низких энергий взаимодействуют большей частью посредством фотоэлектрического эффекта, когда фотон передает всю свою энергию какому-либо из электронов, который затем покидает атом или молекулу, а фотон исчезает. [3]
Спектроскопия ядерного магнитного резонанса основана на поглощении фотонов очень низкой энергии - их частоты имеют порядок 60 МГц ( а длина волны 5 м) и являются одними из самых низких из используемых в спектроскопии. [4]
Рассеяние представляется в - виде двухчастичного столкновения электрона с рассеивающей частицей без участия фотонов низких энергий. [5]
 |
Образование пар.| Зависимость массового коэффициента ослабления фотонного излучения в мягкой ткани от энергии фотонов. [6] |
Значение энергии этих фотонов, как правило, не превышает энергии связи электронов в атомах. Однако фотоны низких энергий могут вызывать атомные или молекулярные возбуждения. При этом происходит полное поглощение энергии фотона атомом или молекулой, которые переходят в возбужденное состояние. [7]
Следует отметить также, что после прохождения слоя материала спектральный состав немоноэнергетического излучения изменяется, так как кванты различной энергии поглощаются по-разному. Обычно фотоны низких энергий затухают быстрее, поэтому эффективный линейный коэффициент ослабления увеличивается, а прошедшее излучение становится по спектральному составу более жестким, это используется в целях фильтрации. При анализе интенсивности прошедшего излучения или мощности экспозиционной дозы в широком пучке следует учитывать, что часть квантов, рассеянных вторично, также попадает на индикатор или первичный измерительный преобразователь и увеличивает мощность экспозиционной дозы. [8]
На основании первой гипотезы можно предполагать, что отщепившаяся молекула СО удаляется от М ( СО) 5 за счет локального размягчения матричной клетки, а после ее затвердевания остается на некотором расстоянии, препятствующем рекомбинации. В таком случае последующее облучение фотонами низкой энергии вызывает общее размягчение матрицы, сближение фрагментов и их рекомбинацию. [9]
Из формулы 9 видно, что образование пар не может происходить при энергиях фотонов, меньших 2тс21 02 Мэв. Позитрон и электрон впоследствии могут исчезнуть с образованием двух фотонов низкой энергии. Это явление называется аннигиляцией. [10]
Наиб, распространенный процесс, обусловленный С. Согласно теории Ферми, электрон в нейтрино ( точнее, антинейтрино), вылетающие из - радиоактивного ядра, не находились в нем до этого, а возникли в момент распада. Это явление аналогично испусканию фотонов низкой энергии ( видимого света) возбужденными, атомами или фотонов высокой энергии ( у-квантов) возбужденными ядрами. Причиной таких процессов является взаимодействие электрич. Взаимодействие фотонов с эл-маги, током описывается выражением е / аи А. Часто в выражение для эл. В эы дают вклад все заряж. И, где t - оператор уничтожения электрона или рождения позитрона, а ар - оператор рождения электрона или уничтожения позитрона / [ Выше для упрощения не показано, что / дм, так же как А, является четырехмерным вектором. [11]
 |
Коэффициенты перехода от рентгенов к радам для f - излучения. [12] |
Для данного материала величина / ( коэффициент перевода рентгенов в рады) постоянна в интервале энергий фотонов, где имеет место только комптоновское взаимодействие, но изменяется в области энергий образования пар и фотоэлектрического поглощения излучения. В табл. 4.2 и 4.3 приведены типичные значения f и f для некоторых материалов. Как можно видеть, величины очень близки к единице, за исключением фотонов низких энергий и веществ с относительно высокими или очень высокими атомными номерами. [13]
 |
Счетная характеристика счетчика Гейгера - Мюллера. зависимость числа N импульсов от приложенного напряжения V при постоянной интенсивности излучения. [14] |
Эти счетчики используются и для регистрации уквантов за счет вторичных эффектов ( фотоэффект, комптон-эффект и рождение пар) на стенках. В этом случае важно правильно выбрать толщину стенки. Через слишком тонкую стенку квант пролетит беспрепятственно, а в толстой стенке выбитый квантом электрон задержится и не даст импульса в счетчик. Специально сконструированными газоразрядными счетчиками можно регистрировать фотоны очень низких энергий, ультрафиолетовые, видимого спектра и даже инфракрасные. Для регистрации фотонов от нескольких десятков кэВ и выше более эффективны рассматриваемые ниже сцинтилляционные и полупроводниковые счетчики. [15]
Страницы: 1 2