Фотон - низкая энергия
Cтраница 2
 |
Счетная характеристика счетчика Гейгера - Мюллера. зависимость числа N импульсов от приложенного напряжения V при постоянной интенсивности излучения. [16] |
Эти счетчики используются и для регистрации - квантов за счет вторичных эффектов ( фотоэффект, комптон-эффект и рождение пар) на стенках. В этом случае важно правильно выбрать толщину стенки. Через слишком тонкую стенку квант пролетит беспрепятственно, а в толстой стенке выбитый квантом электрон задержится и не даст импульса в счетчик. Специально сконструированными газоразрядными счетчиками можно регистрировать фотоны очень низких энергий, ультрафиолетовые, видимого спектра и даже инфракрасные. Для регистрации фотонов от нескольких десятков кэВ и выше более эффективны рассматриваемые ниже сцинтилляционные и полупроводниковые счетчики. [17]
Абсолютная калибровка этих измерений была получена путем сравнения с известным количеством джоулева тепла, выделяемого вставленными внутрь цилиндров нагревательными элементами. При мощности 30 мет на выходе бетатрона увеличение температуры составляло около 0 048 С за 5 мин. Хотя этот метод принципиально прост, требуется, чтобы поглотитель калориметра имел достаточные размеры для поглощения почти всего пучка. Этим потерям соответствовали, главным образом, фотоны низкой энергии; они были оценены с помощью небольшой ионизационной камеры. [18]
Развитие идей фотоэлектрохимии на поверхности раздела раствор - полупроводник связано с измельченными полупроводниковыми частицами. Порошки TiO2 в смеси с платиной, нанесенные на поверхность, оказались особенно эффективными. Каждая частица может рассматриваться как фотоэлектрохимический элемент с замкнутой цепью, соединяющей полупроводниковый и противоэлектроды. Обрисованные выше в общих чертах основные принципы остаются применимыми, несмотря на то, что внешняя электрическая цепь отсутствует. Хотя расстояние между анодом и катодом существенно меньше, чем в обычных электрохимических элементах, продукты реакций переноса заряда остаются разделенными, что невозможно в гомогенных процессах, когда оба противоположных продукта образуются в одной и той же клетке раствора. В отдельных случаях в качестве фотокатализатора могут действовать чистые порошки полупроводника без примеси металла. Выходы продуктов обычно получаются относительно низкими из-за кинетических ограничений и необходимости применять полупроводниковые материалы с большой шириной запрещенной зоны, которые неэффективно используют солнечный спектр. Возможно, следует придерживаться стратегии природного фотосинтеза, делая энергетические потери полезными путем использования двух фотонов низкой энергии для переноса одного электрона. [19]
Известно, что трехкомпонентные твердые растворы a - SixC [ x: H, a - SixNi x: H и a - SixOi x: H, также как и a - Si: H, можно легировать примесями замещения. На рис. 4.4.7 показаны зависимости а и ее энергии активации от уровня легирования. Проводимость пленок a - SixNi x4: H легированных бором, минимальна при WB 2 н ь / ( Ws i н NH3) 10 3, что соответствует п - р - конверсии типа проводимости и максимальной величине энергии активации. При увеличении содержания в газовой смеси В2Н6 выше 2 10 - 2 мольных долей для фотонов с энергией выше 1 6 эВ заметно возрастает коэффициент поглощения. Спектр оптического поглощения пленок a - SixNi x: Н, легированных фосфором, от уровня легирования не зависит. Вблизи энергии 1 9 эВ наблюдается резкий край оптического поглощения. Сетка a - SixNi x: H состоит в основном из тетраэдрически связанных атомов кремния и некоторого количества атомов азота с координационным числом три, поэтому механизм электрической активации атомов бора и фосфора по сравнению с сетками a - Si: Н здесь довольно сложен. С повышением уровня легирования бором в пленках a - SixNi x: H монотонно увеличивается интегральная поглощательная способность колебательных мод растяжения связей Si-H, что связано с усилением поглощения фотонов низких энергий. [20]
Известно, что трехкомпонентные твердые растворы a - SixCi x: Н, a - SixNi -: H и a - SixOi x: H, также как и a - Si: H, можно легировать примесями замещения. На рис. 4.4.7 показаны зависимости а и ее энергии активации от уровня легирования. Проводимость пленок a - SixNi x: H легированных бором, минимальна при WB H6 / ( SiH NH3) 10 - 3 что соответствует п - р - конверсии типа проводимости и максимальной величине энергии активации. При увеличении содержания в газовой смеси ВзНб выше 2 10 - 2 мольных долей для фотонов с энергией выше 1 6 эВ заметно возрастает коэффициент поглощения. Спектр оптического поглощения пленок a - SixNi x: Н, легированных фосфором, от уровня легирования не зависит. Вблизи энергии 1 9 эВ наблюдается резкий край оптического поглощения. Сетка a - SixNi x: H состоит в основном из тетраэдрически связанных атомов кремния и некоторого количества атомов азота с координационным числом три, поэтому механизм электрической активации атомов бора и фосфора по сравнению с сетками a - Si: Н здесь довольно сложен. С повышением уровня легирования бором в пленках a - SixNi x: H монотонно увеличивается интегральная поглощательная способность колебательных мод растяжения связей Si-H, что связано с усилением поглощения фотонов низких энергий. [21]
Страницы: 1 2