Cтраница 2
Основным способом повышения фоточувствительности в длинноволновой области является увеличение времени жизни электроновг приводящее к увеличению Ьп, что достигается использованием материала более высокого качества. Поверхностную рекомбинацию на тыльной стороне СЭ уменьшают при создании потенциального барьера за счет увеличения концентрации легирующей примеси. Для уменьшения рекомбинационных потерь и эффективного собирания носителей тока, отраженных от тыльного потенциального барьера, в кремниевых СЭ уменьшают толщину базовой области. Однако-при этом увеличивается прозрачность структуры для длинноволнового излучения с hv Eg. Для снижения оптических потерь в этом случае на тыльной поверхности структуры создают отражающее покрытие, что позволяет удвоить путь, проходимый длинноволновыми фотонами в структуре, и увеличить эффективность их поглощения. [16]