Собственная фотопроводимость
Cтраница 1
Собственная фотопроводимость начинает преобладать при значениях энергии около 0 7 эс. [1]
Собственная фотопроводимость широко изучена1) в большом числе одноатомных веществ и соединений. Во многих случаях не было возможности проводить исследования на чистых монокристаллах и имеющиеся сведения относятся к пленочным образцам, полученным путем испарения в вакууме. В настоящее время известно, что процессы фотопроводимости в таких пленках чрезвычайно сложны. Они будут обсуждены позже при рассмотрении устройства и работы детекторов инфракрасного излучения. [2]
Действительно, монополярная собственная фотопроводимость объясняется обычно тем, что, хотя спет образует равное число электронов и дырок, носители одного сорта быстро захватываются ловушками. [3]
Красная граница собственной фотопроводимости отвечает Я2 и 2 07 мк. Определить положение ( в эв) дна зоны проводимости данного полупроводника относительно вакуума. [4]
Этот процесс называется эффектом собственной фотопроводимости. [6]
 |
Спектральные зависимости. [7] |
Выражение (5.46) справедливо в случае собственной фотопроводимости. Если же в приповерхностном слое возникает только примесная проводимость, то в (5.46) следует приравнять нулю либо ил, либо, в зависимости от того, вырываются ли электроны с доноров или забрасываются на акцепторы. [8]
Как уже указывалось, при возбуждении собственной фотопроводимости электроны из валентной зоны перебрасываются в зону проводимости и становятся свободными. Однако возможно и иное течение процесса, когда возбужденный электрон не разрывает связи с дыркой, возникающей в валентной зоне, а образует с ней единую связанную систему. Такая система была впервые рассмотрена Я. И. Френкелем и названа им экситоном. Уровни энергии экситона располагаются у дна зоны проводимости. Так как экситоны являются электрически нейтральными системами, то возникновение их в полупроводнике не приводит к появлению дополнительных носителей заряда, вследствие чего поглощение света не сопровождается увеличением проводимости полупроводника. При столкновении же с фононами, примесными атомами и другими дефектами решетки экситоны или рекомби-нируют, или разрываются. В первом случае возбужденные атомы переходят в нормальное состояние, а энергия возбуждения передается решетке или излучается в виде квантов света; во втором случае образуется пара носителей - электрон и дырка, которые обусловливают повышение электропроводности полупроводника. [9]
Обычно различают два типа фотопроводимости: собственную фотопроводимость, обусловленную переходами через энергетическую щель из валентной зоны в зону проводимости, и примесную фотопроводимость, которая возникает в полупроводниках, содержащих примесные центры, за счет переходов с примесных уровней. Низкочастотный порог чувствительности фотодетектора определяется эффективной величиной энергетической щели А. [10]
 |
Сводка положения глубоких уровней в германии. [11] |
Это, правда, не значит, что собственная фотопроводимость всегда биполярна, а примесная - монополярна. Большая разница времен жизни электронов и дырок может привести к тому, что и в случае собственного возбуждения фотопроводимость окажется практически монополярной. [12]
В качестве примера на рис. 142 приведены спектры собственной фотопроводимости некоторых полупроводников. Видно, что спектральная область собственной фоточувствительности определяется шириной запрещенной зоны полупроводника. Длинно-волновый край спектра фоточувствительности соответствует краю собственного поглощения. Спад чувствительности на коротковолновом краю объясняется уменьшением скорости генерации носителей при большом коэффициенте поглощения фотонов в глубине собственного поглощения. [13]
В качестве примера на рис. 132 приведены спектры собственной фотопроводимости некоторых полупроводников. Видно, что спектральная область собственной фоточувствительности определяется шириной запрещенной зоны полупроводника. [14]
В качестве примера на рис. 142 приведены спектры собственной фотопроводимости некоторых полупроводников. Видно, что спектральная область собственной фоточувствительности определяется шириной запрещенной зоны полупроводника. Длинно-волновый край спектра фоточувствительности соответствует краю собственного поглощения. Спад чувствительности на коротковолновом краю объясняется уменьшением скорости генерации носителей при большом коэффициенте поглощения фотонов в глубине собственного поглощения. [15]
Страницы: 1 2 3 4