Собственная фотопроводимость
Cтраница 2
Перечисленные полупроводники обладают достаточно резким краем спектра поглощения и собственной фотопроводимости, начиная с длин волн 385 - 400 им. Это обстоятельство допускает удобное наблюдение появления фотоэлектрической чувствительности в видимой части спектра, возникающей после адсорбции красителей. [16]
Без учета возможности образования экситонов путем непрямых оптических переходов длинноволновая граница собственной фотопроводимости должна совпасть с краем собственного поглощения. Если такую возможность принять во внимание, то в области комнатных температур длинноволновая граница фотопроводимости совмещается с длинноволновым краем кривой экситонного поглощения, поскольку вследствие чрезвычайно малой энергии связи экситонов они вероятнее всего быстро диссоциируют при комнатных температурах и создают пары свободных электронов и дырок. Однако при очень низких температурах фотопроводимость должна начаться при несколько большей частоте, чем та, которая соответствует краю полосы экситонного поглощения. В случае изоляторов этот, критерий обычно служил главным аргументом при установлении экситонного характера той или иной части спектра поглощения. [17]
 |
Схема возможных оптических переходов электрона в запрещенной зоне.| Прямые / и непрямые 2 оптические межзонные переходы. [18] |
Если оптическое возбуждение электронов происходит из валентной зоны в зону проводимости, то наблюдается собственная фотопроводимость, которую создают носители обоих знаков. [19]
 |
Зависимость стационарной концентрации электронов в зоне проводимости ( кривая / и на уровне § с - 0 4 эв в CdS ( кривая 2 от интенсивности света ( X 0 52 мк при температуре 100 К. [20] |
В качестве примера на рис. 152 приведены осциллограммы, иллюстрирующие явление фотоактивации феноменологического квантового выхода собственной фотопроводимости в монокристалле CdSe в ходе релаксации фототока, вызванного освещением также из собственной области. [21]
Длинноволновая граница примесной проводимости в соответствии с примесным поглощением сдвинута в сторону больших длин волн относительно собственной фотопроводимости. Коэффициент поглощения в примесной области зависит от интенсивности возбуждающего света, так как вероятность поглощения фотонов определяется степенью заполнения примесных уровней. [22]
Используя модифицированное ими уравнение, авторы также показали, что в припорого-вой области длин волн спектральная зависимость собственной фотопроводимости ( см. рис. 3.1.14) полностью определяется вероятностью диссоциации промежуточных состояний с переносом заряда. [23]
 |
К объяснению корреляции знака фотопроводимости и равновесной проводимости. [24] |
Итак, следует ожидать, что при прочих равных условиях время жизни для электронов будет больше, чем для дырок, и, следовательно, собственная фотопроводимость будет преимущественно электронной. [25]
Поскольку в жидкостях уровень У0 имеет тот же смысл, что уровень проводимости в твердых соединениях, то, используя свет с энергией квантов hv Eg IP F0, можно возбудить собственную фотопроводимость жидкости. [27]
Фотопроводимость ( см. § 202) полупроводников - увеличение электропроводности полупроводников под действием электромагнитного излучения - может быть связана со свойствами как основного вещества, так и содержащихся в нем примесей. В результате возникает собственная фотопроводимость, обусловленная как электронами, так и дырками. [28]
Видно, что собственная фотопроводимость полимера увеличивается после адсорбции хлорофилла. Аналогичные результаты были получены для спектральной сенсибилизации фотоэдс. [29]
Далее Деб и Иоффе полагают, что в присутствии вкраплений металла стадия ( 4) не имеет существенного значения, так как вкрапления металла захватывают электроны проводимости, необходимые для этой стадии. Доказательством этого служит наблюдаемое погашение собственной фотопроводимости. [30]
Страницы: 1 2 3 4