Стационарная фотопроводимость
Cтраница 1
 |
Энергии активации проводимости и т. - э.д.с. в стеклах As40Se60.| Зависимость т. - э.д.с. стекол CdGexAs2 от д.с. мкВ / К. [1] |
Стационарная фотопроводимость существенно зависит от четырех факторов [636]: 1) интенсивности возбуждаемого излучения; 2) спектральной характеристики излучения; 3) величины электрического поля в образце; 4) температуры среды. [2]
Измерения стационарной фотопроводимости и переходных явлений при температурах ниже комнатной и в образцах, где главную роль играют уровни железа, показывают, что дырочные образцы сравнительно слабо фоточувствительны и характеризуются малым временем восстановления. В то же время для электронных образцов характерны высокая фоточувствительность и очень медленное восстановление темповой проводимости. Высокая фоточувствителыюсть этих образцов воспроизводима и контролируема в том смысле, что ее можно менять по крайней мере на два порядка, подбирая количество и сорт железа, используемого в качестве примеси. Большие времена восстановления свидетельствуют о наличии уровней прилипания для дырок. Это подтверждается оптическими измерениями, описанными в следующей статье. Однако характер спадания фотопроводимости в электронных образцах не удается интерпретировать количественно с точки зрения простой модели захвата. Равным образом неизвестно эффективное число ловушек. [3]
Иными словами, изучение стационарной фотопроводимости, характерное для более раннего периода, все в большей степени заменяется изучением кинетики фотопроводимости. [4]
В большинстве работ приведены данные по стационарной фотопроводимости в постоянном электрическом поле. Для надежного измерения фотоэлектрической чувствительности фотопроводимость o не должна быть по порядку величины меньше темновой проводимости ат. Низкий квантовый выход, малое время жизни носителей и структурная неоднородность рассматриваемых веществ не позволяют ожидать большой Оф. Поэтому исследования обычно проводят на высокоомных полупроводниковых полимерах. Если эти полимеры получают термообработкой, то низкая проводимость указывает на значительные участки преимущественно ординарных связей С-С, которые затрудняют переход носителей из одной области в другую. Сразу возникает вопрос, происходит ли поглощение света и образование свободных носителей тока в областях полисопряженных двойных связей или в участках с насыщенными связями. [5]
Установка для измерения ФЭМ-эффекта отличается от установки для контроля стационарной фотопроводимости ( см. рис. 10.21) добавлением электромагнита. Силовые линии магнитного поля перпендикулярны направлению светового потока и длине образца. [6]
Для измерения малых времен жизни используют методику совмещения стационарного ФЭМ-эффекта и стационарной фотопроводимости в одной установке. [8]
 |
Схема возможных оптических переходов электрона в запрещенной зоне.| Прямые / и непрямые 2 оптические межзонные переходы. [9] |
В работе изложены основные положения теории внутреннего фотоэффекта, проведен анализ стационарной фотопроводимости и релаксации фотопроводимости при однородной генерации носителей в образце в отсутствие и при наличии поверхностной рекомбинации, а также рассмотрено влияние на фотопроводимость явления диффузии при неоднородной генерации носителей заряда. [10]
Для измерения малых времен жизни используют методику совмещения стационарного ФЭМ-эффекта и стационарной фотопроводимости в одной установке. [12]
 |
Осциллограммы кривых релаксации примесной фотопроводимости для четырех исследованных групп образцов Т 77 К. [13] |
При освещении быстро ( за время жизни, обычно составлявшее в исследованных образцах доли миллисекунд) устанавливается стационарная фотопроводимость. [14]
При измерении малых времени жизни часто имеет место расхождение в величинах т, найденных методами ФЭМ-эффекта и стационарной фотопроводимости. [15]
Страницы: 1 2