Cтраница 2
Поскольку скорость генерации при постоянной интенсивности излучения не меняется, то через некоторое время скорость рекомбинации станет равной скорости генерации и в полупроводнике установится стационарная фотопроводимость. [16]
Измеряемая в этих условиях при использовании обычной схемы измерений на прерывистом освещении ( см., например, рис. 9) амплитуда переменной составляющей фотопроводимости До равна стационарной фотопроводимости Дост. [17]
Исследованы коэффициент отражения феррита-граната иттрия в широкой области спектра ( 800 - 40 им) с последующим расчетом коэффициента поглощения с помощью соотношения Крамерса-Кро - иига, а также стационарная фотопроводимость при комнатной температуре в интервале длин волн 770 - 275 нм. Проведено сопоставление спектров коэффициента поглощения и фотопроводимости. [18]
В стационарную фотопроводимость полупроводника помимо фотопроводимости квазинейтрального объема вносит вклад и фотопроводимость ОПЗ. [19]
Часто для измерения стационарной фотопроводимости и параметров, ее характеризующих, используется установка, схема которой представлена на рис. 4.5. Одна из поверхностей полупроводникового образца, имеющего форму прямоугольной пластины, освещается модулированным светом. [20]
Результаты измерений на GaAs [35] также представляются ошибочными. Наиболее пригодными для соединений III - V оказались методы, при которых измеряется спад фотопроводимости или сочетается измерение стационарной фотопроводимости ( ФП) и фотоэлектромагнитного ( ФЭМ) эффекта. В отсутствие захвата ловушками спад фотопроводимости позволяет достаточно удовлетворительно измерять времена жизни, большие 10 - 8 сек. Из таких измерений полные сведения о поведении носителей обоих типов обычно получить нельзя. ФЭМ - ФП-метод можно использовать для измерения столь малых времен жизни, как 10 - 13 сек, и его можно видоизменить так, чтобы получить сведения о поведении носителей обоих типов в случае, когда захват ловушками играет существенную роль. Величина ФП-эффекта пропорциональна эффективному времени жизни тфп, а величина ФЭМ-эффекта пропорциональна квадратному корню из эффективного времени жизни тфэм, не равного тфп. [21]
Все сказанное об измерении поверхностной проводимости в равной мере относится и к другим методам, в которых вдоль поверхности раздела полупроводник - электролит прикладывается электрическое поле. Здесь прежде всего нужно назвать измерение эффективного времени жизни неосновных носителей по спаду фотопроводимости ( при инжекции неосновных носителей импульсами тока или света) или по величине стационарной фотопроводимости. При всех измерениях подобного рода следует контролировать отсутствие утечки измерительного тока в раствор, пользуясь для оценок вольт-амперной кривой или величиной импеданса электрода. [22]
В работах Нелсона [19 - 21], посвященных изучению кинетики фотопроводимости в слоях кристаллического фиолетового, родамина В и фуксина, были найдены некоторые дополнительные закономерности этого явления. Нелсон обнаружил, что при температурах ниже 60 С скорость спада в течение нескольких первых секунд больше, чем скорость для остального участка спада. Этот эффект становится более выраженным при понижении температуры. Если перед затемнением было достигнуто стационарное значение фотопроводимости, то константа скорости k сама зависит от величины стационарной фотопроводимости, а именно, k тем больше, чем меньше сг0, причем эта зависимость в свою очередь усиливается при понижении температуры. Было обнаружено также, что скорость падения фотопроводимости в темноте от данного значения а, достигнутого при освещении, существенно зависит от того, были ли это значение а стационарным или нет. [23]