Фотопроводник
Cтраница 2
Обычно в-качестве фотопроводника применяют селен, который наносят тонким слоем на алюминиевую пластину. [16]
В случае фотопроводника Р увеличивается на константу у, пропорциональную интенсивности падающего света. Система больше не замкнута, и новая Р уже не связана с а соотношением детального равновесия. Стационарное решение (6.9.2) уже больше не совпадает с термодинамически равновесным. [17]
Повышение чувствительности фотопроводников типа CdS к свету достигается обычно введением активаторов. [18]
Процессы в фотопроводнике, даже при наличии в нем центров, способных захватить только один из видов носителей тока и имеющих разные энергетические уровни, могут быть довольно разнообразными. Например, в центрах, способных к захвату электронов, могут происходить захваты свободных электронов, их термическое освобождение, рекомбинации со свободными дырками и термические и оптические рождения свободных дырок из пустых центров, в которых при рождении дырки остается захваченный из заполненной зоны электрон. Эти процессы характеризуются вероятностями, зависящими от соответствующих сечений захвата и от близости уровня центра к границам зон основной решетки. [19]
В некоторых фотопроводниках наряду с примесной фото-проводимостью обнаруживается своеобразное явление так называемой индуцированной примесной фотопроводимости. Оно заключается в том, что в полупроводнике, в котором в нормальном состоянии примесная фотопроводимость отсутствует или незначительна, после предварительной подсветки из собственной области примесная фотопроводимость возникает или резко возрастает. Так, из рис. 129, где приведены спектральные кривые фотопроводимости некоторых материалов при температуре жидкого азота, видно, что в нормальном состоянии в них отсутствует фоточувствительность в примесной области. [20]
Предположим, что фотопроводник, в котором наблюдается суперлинейность, освещается светом такой интенсивности, которая как раз соответствует области суперлинейности. Это означает, что очувствляющие уровни класса II превратились из уровней прилипания в уровни рекомбинации. [21]
Кроме того, органические фотопроводники могут найти применение уже сейчас в качестве фотодетекторов. [22]
Диапазон изменения чувствительности фотопроводников составляет по крайней мере 10 и в основном определяется пределами изменения времени жизни свободных носителей тока. [23]
 |
Структуры фотопроводник - жидкий кристалл. [24] |
При освещении участка фотопроводника актиничным светом его сопротивление падает, происходит перераспределение напряжений, и к слою жидкого кристалла будет приложено напряжение, достаточное для возникновения электрооптического эффекта, например эффекта динамического рассеяния. Если актиничный свет пространственно модулирован, например в виде изображения, то на слое жидкого кристалла будет воспроизведено это изображение, которое может наблюдаться при освещении неактиничным светом. Поскольку такие системы предназначены в основном для работы в проекционном режиме, весьма важным параметром является допустимый световой поток считывающего излучения, который может быть промодулиро-ван без нарушения работоспособности устройства. [25]
Джонса [2] шум фотопроводника состоит из следующих компонентов: 1) тепловой шум, 2) шум излучения, 3) генерационно-рекомбинационный шум, 4) модуляционный шум, 5) контактный шум. [26]
Чтобы ребристая структура фотопроводника не влияла ви на выходное изобра - Рис 3 - Усилитель с ребрис. [28]
Время жизни для чувствительных фотопроводников типа CdS и CdSe колеблется в пределах от 1 ( Н до 10 - 3 сек, тогда как для нефоточув-ствительных полупроводниковых материалов, таких, как аморфный селен, стибнит и сера, время Жизни составляет 10 сек или меньше. [29]
Нестационарная ЭДС в неоднородно-освещаемом фотопроводнике / / Письма в ЖТФ. [30]
Страницы: 1 2 3 4