Фотопроводник
Cтраница 4
Явление захвата свободных носителей в фотопроводнике позволяет объяснить многие люминесцентные свойства, в частности фотопроводимость соединений типа ZnS. Так как обнаружение процесса захвата проведено непосредственно при комнатной температуре, то предложено аппаратуру ЭПР использовать для измерения фотопроводимости. [46]
Здесь, как и в случае фотопроводника, существует критическое поле, при котором так называемый токовый шум превышает джонсоновский шум. [47]
Преобразователем является элемент, состоящий из фотопроводника и электролюминофора, разделенных непрозрачным слоем и последовательно включенных в цепь переменного тока. Под действием гамма-излучения фотосопротивление уменьшается, что вызывает повышение напряжения на электролюминесцентном слое и увеличение яркости. [49]
Флуктуации фототока являются естественным пределом чувствительности фотопроводника, поэтому исследование пороговой чувствительности складывается из изучения природы шума и выяснения зависимости фотоответа от интенсивности и частоты светового сигнала. [50]
Примером такой структуры является ПВМС с фотопроводником состава ZnojCdo. [51]
При включении источника считывающего излучения сопротивление слоя фотопроводника падает; под действием фотонов из слоя фотопроводника генерируются носители тока и через слой жидкого кристалла начинает протекать ток. Величина этого тока ограничена пространственным зарядом и мало зависит от интенсивности считывающего излучения. Обусловлено это тем, что слой селена интенсивно поглощает свет с длиной волны менее 0 56 мкм и генерация носителей происходит практически с тонкого поверхностного слоя, который насыщается при некоторой предельной интенсивности считывающего излучения. Таким образом, под действием считывающего излучения происходит частичное перераспределение напряжения между фотопроводником и слоем жидкого кристалла, через который протекает ток, ограниченный пространственным зарядом. Величина напряжения, которая при этом оказывается приложенной к слою жидкого кристалла, недостаточна для возбуждения электрооптического эффекта. [52]
Часто используется третий возможный способ определения фоточувствительности фотопроводников как числа носителей, проходящих между электродами в 1 с на каждый поглощенный в 1 с фотон. Это отношение называется фотоэлектрическим усилием К и определяется соотношением / CGV А / св / е, где А / св - приращение тока под действием освещения; G - скорость световой генерации; V - объем фотопроводника. [53]
Часто используется третий возможный способ определения фоточувствительности фотопроводников как числа носителей, проходящих между электродами в 1 с на каждый поглощенный в 1 с фотон. [54]
Часто используется третий возможный способ определения фоточувствительности фотопроводников как числа носителей, проходящих между электродами в 1 с на каждый поглощенный в 1 с фотон. Это отношение называется фотоэлектрическим усилием К и определяется соотношением / CGV А / св / е, где А / св - приращение тока под действием освещения; G - скорость световой генерации; V - объем фотопроводника. [55]
Как и ранее, рассмотрим зонную схему фотопроводника ( рис. 92), имеющего в запрещенной зоне рекомбинационные центры S, обеспечивающие значительно большее время жизни электронов тл в с-зоне по сравнению с временем жизни дырок тр в г - зоне, так что фотопроводимость можно считать чисто электронной. [56]
Использование проводящих жидкостей затруднено из-за разрушения слоя фотопроводника вследствие электролиза. Чтобы присчитывании запись не разрушалась, необходимо использовать неактиничное освещение. Применение непрозрачного электрода обусловливает необходимость записи и считывания с одной стороны. [57]
Страницы: 1 2 3 4