Cтраница 1
Фоторезисторы обладают различными спектральными характеристиками в зависимости от материала, использованного для фоточувствительного слоя, и технологии его изготовления. Сернисто-кадмиевые фоторезисторы имеют высокую чувствительность в видимой области спектра, селенисто-кадмиевые - в красной части спектра, а также чувствительны в ближайшей инфракрасной области спектра. У сернисто-свинцовых фоторезисторов максимум чувствительности лежит в инфракрасной области спектра. Фоторезисторы ФСК-2М имеют высокую чувствительность в коротковолновой части спектра, в области длин волн 0 4 - 0 5 мкм. [1]
Фоторезистор можно также характеризовать полной или максимальной интегральной чувствительностью, которая равна удельной интегральной чувствительности, умноженной на максимальное для данного фоторезистора рабочее напряжение. [2]
Фоторезистор - это полупроводниковый резистор, сопротивление которого зависит от освещенности. [3]
Фоторезисторы представляют собой полупроводниковые кристаллические или пленочные сопротивления, удельная проводимость которых резко возрастает с увеличением падающего на них светового потока. [4]
Фоторезистор состоит из изоляционной пластины ( стекло, слюда), на которую между двумя металлическими электродами нанесен слой полупроводника. Для защиты от внешних воздействий пластину часто помещают в вакуумный баллон. При попадании светового потока сопротивление его резко падает. При подаче на неосвещенный фоторезистор напряжения через него протекает незначительный темновой ток. По мере увеличения светового потока этот ток возрастает. При малой интенсивности света чувствительность наибольшая и составляет 100 - 1000 мкА / лм для селеновых и 104 - 105 мкА / лм для таллиевых фоторезисторов. [5]
Фоторезисторы обладают большой интегральной чувствительностью, поэтому они широко применяются в ряде устройств автоматики и телемеханики. [6]
Фоторезистор характеризуется следующими основными параметрами. [7]
Фоторезистор - это полупроводниковый резистор, сопротивление которого зависит от освещенности. Основой фоторезистора является полоска полупроводника ( сульфида или селенида кадмия, сульфида или селенида свинца), обычно поли кристаллического, изготовленная на диэлектрической подложке и имеющая внешние выводы. Люкс-амперные характеристики ( зависимость / ев от освещенности) фоторезисторов нелинейны: при малых освещен-ностях рост светового тока происходит быстрее, чем при больших. [8]
Фоторезисторы наряду с фотодиодами и фототриодами находят широкое применение, причем в основном в фотодатчиках с дискретной световой характеристикой. Достоинством фоторезисторов является высокая чувствительность, стабильность параметров, большая надежность и долговечность, возможность работы как на постоянном, так и на переменном токе, малые габариты. К их недостаткам следует отнести большую инерционность, сильное влияние окружающей температуры, нелинейность световой характеристики, большой разброс параметров у фоторезисторов одной партии. [9]
Фоторезистор можно включать как в нижнее, так и в верхнее плечо делителя напряжения. Диапазон регулирования схемы в зависимости от параметров примененного фоторезистора может достигать 60 дб и более. Так же как и в РУ с терморезистором, в данной схеме цепь управления ( с лампой накаливания) полностью изолирована от цепи сигнала, что исключает попадание в нее каких-либо наводок из цепи управления. [10]
![]() |
Воздействие на фоторезистор импульса света ( а, частотная ( б и спектральные ( в характеристики фоторезисторов. [11] |
Фоторезисторы обладают значительной инерционностью. На рис. 12 - 5, а показано воздействие на фоторезистор вспышки света. При воздействии светового потока фототок достигает своего конечного значения через некоторое время. [12]
![]() |
Устройство фотодиода ( а, фотодиодный режим ( б, вентильный режим ( в, устройство солнечного фотоэлемента ( г. [13] |
Фоторезисторы чувствительны к инфракрасной и видимой частям спектра. [14]
Фоторезисторы применяют в качестве датчиков перемещения, скорости движения, для счета изделий, если это возможно по условиям их быстродействия. [15]