Cтраница 4
Фоторезисторы, предназначенные работать в условиях повышенной влажности, имеют герметичный корпус. [46]
![]() |
Схема включения ( а, условное графическое изображение ( б и вольт-амперные характеристики фоторезистора ( в. [47] |
Фоторезистор - фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, сопротивление которого зависит от освещенности. [48]
Фоторезисторы используют для сортировки изделий по их окраске или размерам. Определяющим является количество света, падающего на фотосопротивление, в зависимости от которого изделия направляются в тот или иной раздел. [49]
Фоторезисторы измеряют силу света и могут автоматически регулировать освещенность, включая дополнительные источники света, как только освещенность падает ниже желаемого предела. [50]
Фоторезисторы СФ4 - 1, изготовленные из селенида свинца, применяют для дистанционного измерения температуры. [51]
Фоторезисторы предназначены для работы в цепях постоянного, переменного и импульсного тока. [52]
Фоторезисторы на основе InSb и Ое: Аи для достижения необходимых параметров требуют охлаждения до температуры не выше 77 Ж, на основе Qe: Hg - не выше 27 К, Ge Zn и Ge: Си охлаждаются до температуры 20 СК и ниже. [53]
Фоторезисторы различаются не только конструкцией корпуса, но формой и количеством чувствительных элементов в зависимости от целевого назначения и конструктивных особенностей аппаратуры, в которой они используются. Наиболее часто встречающиеся формы чувствительных элементов показаны на рис. 8 для одно -, двух -, трех -, четырех - и многоэлементных фоторезисторов. [54]
Фоторезисторы обладают достаточной чувствительностью не только к излучению специальных источников, но и к излучению окружающего фона в широком диапазоне спектра. Поэтому даже в отсутствие излучения от специального источника в чувствительном элементе фоторезистора постоянно происходит процесс генерации носителей тока, приводящий к соответствующему изменению проводимости. Допустим, что на чувствительный элемент фоторезистора за одну секунду попадает п квантов. Если проследить за темпом поступления квантов в более короткие последовательные и равные интервалы времени, то можно заметить, что количество поступающих квантов в них различно, хотя, в среднем, при этом обеспечивается поступление п квантов за одну секунду. Эти случайные отклонения числа квантов от их среднего значения ( флюктуации) и обусловливают появление радиационного ( фотонного) шума фоторезисторов. [55]
![]() |
Схема измерения параметров фоторезисторов типа CdS и CdSe. [56] |
Фоторезисторы, работающие в условиях больших световых штоков, характеризуются достаточно большими изменениями токов, тротекающих в их цепи, и внутреннего сопротивления. Представите-тями этой группы являются фоторезисторы из сернистого и селе-шстого кадмия. [57]
![]() |
Устройство ( а и схема включения фоторезистора ( б. [58] |
Фоторезисторы - приборы, принцип действия которых основан на фоторезистивном эффекте - изменении сопротивления полупроводникового материала под действием электромагнитного излучения. [59]
![]() |
Принципиальная электрическая схема 15АС - 109. [60] |