Полупроводниковое фотосопротивление - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Для любого действия существует аналогичная и прямо противоположная правительственная программа. Законы Мерфи (еще...)

Полупроводниковое фотосопротивление

Cтраница 1


Полупроводниковое фотосопротивление сильно изменяется при изменении освещенности, что позволяет применять его, например, в процессах автоматического управления.  [1]

Иногда полупроводниковые фотосопротивления не вполне удачно называют фотоэлементами. Фотоэлемент - это прибор, в котором лучистая энергия в той или иной степени непосредственно превращается в энергию электрическую. При падении на фоточувствитель-ную поверхность фотоэлемента лучистого потока в нем вырабатывается собственная электродвижущая сила. В вакуумных и газонаполненных фотоэлементах величина возникающей фотоэдс чрезвычайно мала, в вентильных фотоэлементах она может достигать значений в несколько десятых долей вольта. Совершенно иная картина наблюдается при падении светового потока на фоточувствительную полупроводниковую пластинку. Поглощенное излучение лишь уменьшает сопротивление полупроводника и не вызывает появления в нем ни электрического тока, ни электродвижущей силы.  [2]

Иногда полупроводниковые фотосопротивления не вполне удачно называют фотоэлементами. Фотоэлемент - это прибор, в котором лучистая энергия в той или иной степени непосредственно превращается в энергию электрическую. При падении лучистого потока на фоточувствительную поверхность фотоэлемента в нем вырабатывается собственная электродвижущая сила. В вакуумных и газонаполненных фотоэлементах величина возникающей фотоэдс чрезвычайно мала, в вентильных фотоэлементах она может достигать значений в несколько десятых долей вольта. Совершенно иная картина наблюдается при падении светового потока на фоточувствительную полупроводниковую пластинку. Поглощенное полупроводником излучение лишь уменьшает сопротивление вещества и не вызывает появления в нем ни электрического тока, ни электродвижущей силы.  [3]

Для характеристики полупроводникового фотосопротивления и возможной области его применения вводится ряд параметров.  [4]

В основе действия полупроводниковых фотосопротивлений лежит изменение электрического сопротивления полупроводника под действием света.  [5]

Фотоприставка состоит из осветителя и полупроводникового фотосопротивления. При прохождении стрелки мимо фотоприставки возникают два импульса. Первый импульс используется для перевода шитателя на режим досыпки, а второй - для отсечки подачи.  [6]

7 Условные обозначения оптронов.| Цоколевка оптопар. [7]

В резисторной оптопаре фотоприемным элементом служит полупроводниковое фотосопротивление ( ФС) - фоторезнстор.  [8]

На рис. 5.16 схематически изображено устройство полупроводникового фотосопротивления.  [9]

Приборы дискретного действия с фотоэлектрическими датчиками на полупроводниковых фотосопротивлениях, диодах и других полупроводниковых приборах основаны на эффекте модуляции светового потока вращающимися деталями, жестко соединенными с рабочими поверхностями ротационных приборов.  [10]

Световой поток на выходе из линзы измеряют с помощью полупроводникового фотосопротивления.  [11]

Многие автоматические устройства включают в себя в качестве основного элемента полупроводниковое фотосопротивление, представляющее собой чувствительный индикатор, реагирующий на изменение лучистого потока. Следует заметить, что, помимо фотосопротивлений, существуют и другие виды световых индикаторов. К ним относятся, например, вакуумные и газонаполненные фотоэлементы, в основу устройства которых положено использование внешнего фотоэффекта.  [12]

Среди полупроводниковых приборов, нашедших применение в схемах автоматики, значительное место принадлежит полупроводниковым фотосопротивлениям и фотоэлементам с запирающим слоем - вентильным.  [13]

14 Схема измерительной позиции автомата БВ-471. [14]

В автоматах ЛИЗ ( Ленинградского инструментального завода) для контроля и сортировки деталей подшипников качения и других массовых деталей применяется фотоэлектрический метод измерения с отражением светового потока от поверхности промежуточного зеркала на полупроводниковые фотосопротивления.  [15]



Страницы:      1    2    3