Полупроводниковое фотосопротивление

Cтраница 2

Зависимость электропроводности полупроводников от напряженности поля. [16]

Также и спадание фототока до нуля после прекращения освещения происходит не сразу. Инерционность полупроводниковых фотосопротивлений делает их малопригодными в случаях высокочастотной пульсации светового потока. [17]

Внешний вид регулирующего устройства типа РУ4. [18]

Программа считывается фотоголовкой, укрепленной на каретке, передвигающейся вдоль шкалы программного устройства. В фотоголовке размещается полупроводниковое фотосопротивление Лфс и лампочка ЛН. На пути светового потока от лампочки к фотосопротивлению расположена диаграммная лента. [19]

Основные типы фотоэлементов. [20]

Фотоэлектрические датчики с каждым годом получают все большее распространение. Особенно большие перспективы имеют полупроводниковые фотосопротивления, обладающие высокой чувствительностью по фототоку порядка 3 а на люмен, что выше чувствительности обычных сурьмяно-цезиевых вакуумных фотоэлементов в 30000 раз. [21]

В последнее время применяются чаще всего полупроводниковые фотосопротивления. Их спектральная характеристика имеет максимум, который у свинцово-серни-стых фотосопротивлений находится в близкой инфракрасной области. [22]

Схема ферроди-намического датчика.| Схема емкостного датчика.| Фотосоиротивление а - общий вид. 6 - схема включения. [23]

Электрические параметры фотоэлектрического датчика ( сопротивление, напряжение) изменяются в зависимости от изменения освещенности. Наибольшее распространение в качестве таких датчиков получили полупроводниковые фотосопротивления. [24]

В ультрафиолетовой области используют термопары, вакуумные фотоэлементы и фотоэлектронные умножители. Регистрацию излучения в видимом диапазоне осуществляют также с помощью высокочувствительных фотоумножителей, полупроводниковых фотосопротивлений и фотодиодов. В инфракрасной области спектра для абсолютных измерений применяют неселективные ( вакуумные термоэлементы, болометры, термисторы и оптико-акус-ические приемники), а также селективные ( полупроводниковые сютосопротивле-ния и фотодиоды) приемники, работающие в узком спектральном диапазоне. [25]

В этот период весьма обстоятельно были изучены спектры поглощения Cabfo в фотографической области ( 8700 - 15 600 см -), где расположены полосы, соответствующие обертонам и составным частотам. Спектр С2Н2 в ближней инфракрасной области, где расположены полосы основных частот и низших обертонов, до введения в практику спектроскопических измерений полупроводниковых фотосопротивлений был изучен весьма неполно и неточно. Поэтому определение достаточно надежных значений колебательных постоянных СзНа стало возможно лишь в недавнее время. [26]

Трудно перечислить применение и переоценить значение полупроводниковых материалов в науке и новейшей технике. Полупроводниковые фотосопротивления и фотоэлементы используются в различных автоматических устройствах, а ферритовые полупроводники и сегнетоэлектрики - в электронно-счетных машинах, радиолокации, многоканальной телефонии, электроакустике. Развивающиеся атомная энергетика и космическая техника также используют полупроводниковые материалы. Многие полупроводниковые приборы поступают на вооружение сельского хозяйства. Многочисленны и другие области применения полупроводников. [27]

Кривые, характеризующие кинетику установления свойств ФС-А1. [28]

Сопоставление всех данных, характеризующих как достоинства, так и недостатки фотосопротивлений из PbS, позволяет сделать заключение о целесообразности их весьма широкого использования. Фотосопротивления типа ФС-А могут в ряде случаев с успехом заменить вакуумные и газонаполненные фотоэлементы. Изобретение сернистосвинцовых фотосопротивлений разбило существовавшее ранее мнение, что в полупроводниковых фотосопротивлениях якобы нельзя сколько-нибудь заметно снизить инерционность. Герлиха, писавшего в своей недавно вышедшей книге Применение фотоэлементов, что инерционность у всех фотосопротивлений велика. В действительности же это утверждение справедливо лишь для большинства существующих в настоящее время фотосопротивлений, за исключением сернистосвинцовых. Есть основания полагать, что дальнейшее и более углубленное освоение как физических основ внутреннего фотоэффекта, так и полупроводниковой технологии даст возможность создавать фотосопротивления с значительно более высокими параметрами и свойствами. Разумеется, что это утверждение полностью относится также и к частотным характеристикам будущих фотосопротивлений. [29]

Мостовая схема усиди - жет быть резко уменьшен с помощью теля на двух триодах. охлаждения вакуумного фотоэлемента. [30]

Страницы: 1 2 3