Фототок

Cтраница 1

Фототок можно учесть, прибавляя его величину к обратному току через переход. Дифференцированием уравнения (6.33) можно показать, что в отсутствие токов через р - - переход ( обусловленных внешним приложенным напряжением или освещением) выражение (6.9) сводится к формуле, характеризующей тепловые шумы. [1]

Фототоки в аморфном селене, который используется в ксерографии, а также фототоки в тонких слоях порошка окиси цинка, используемых в другом электрофотографическом процессе ( электрофакс), представляют собой хорошо изученные и описанные примеры действия запирающих контактов. В обоих случаях возбуждение производится сильно поглощаемым светом в области контакта, и максимальное усиление равно единице. Время фотоответа в процессе электрофакс было измерено [3] и оказалось порядка нескольких секунд, что было объяснено дрейфом носителей через тонкий слой окиси цинка при наличии центров прилипания. Время дрейфа свободных носителей в этом случае должно составлять 10 - 9 сек. [2]

Вольт-амперные характеристики фоторезистора.| Зависимость относительного значения фототока фоторезистора от длины волны излучения. [3]

Фототок / ф зависит также от спектрального состава светового потока. Зависимость относительного значения фототока от длины волны излучения К при постоянном световом потоке определяет спектральную характеристику. На рис. 4.4 в качестве примера приведена зависимость / Ф / / Фшах / () фоторезистора из сульфида кадмия. Спектральные свойства фоторезисторов принято характеризовать длиной волны тах, соответствующей максимуму чувствительности, и порогом фотоэффекта, равным длине волны Х0, при которой чувствительность составляет 1 % от максимальной. Длинноволновый порог фотоэффекта составляет для фоторезисторов из сульфида кадмия ( сернистого кадмия) 0 8 - 0 9 мкм, из селенида кадмия - 3 3 мкм, из селенида свинца - 4 6 мкм. [4]

Фототок не является непрерывной линейной функцией от интенсивности падающего света. В пределах узкого диапазона при низких освещенностях он может увеличиваться быстрее, чем по линейному закону, далее линейно в некотором диапазоне, в котором обычно используются фотоэлементы, и затем обнаруживаются эффекты насыщения при более высоких освещенностях. При применении менее чувствительных материалов линейная зависимость может распространяться на более широкий диапазон, поскольку насыщение в этом случае достигается при больших освещенностях. [5]

Яркостная характерис. [6]

Фототок соответствует прохождению через фоторезистор и через внешнюю цепь / ф / / электронов. [7]

Фототоки, получаемые на выходе электрических приемников света, в большинстве случаев очень малы. Для того чтобы можно было их надежно измерить, необходимо значительное усиление. [8]

Экспериментальная проверка выражения. Зависимость ( 1 от энергии фотона Пшь порогового запирающего потенциала Vr ( в условных единицах гораздо ближе.| Значение фототока вблизи порога фотоэмиссии, измеренное для поверхности 81 ( 111 через. 1 спустя 1 5 мин после получения скола ( т.е. для практически чистой поверхности при использованном вакууме 4 МГ10 тор 1. 2 10 мин. 3 60 мин. 4 125 мин. 5 19 ч. [9]

Фототоки для fkjL / в случае кристаллических материалов приписываются дефектам. В аморфных полупроводниках они соответствуют остаточным состояниям, существующим внутри запрещенной зоны. [10]

Фототок, проходящий от фотоэлементов, мал и для практического использования обычно подвергается усилению при помощи ламповых усилителей. [11]

Фототок / ф в широких пределах освещенности линейно зависит от светового потока Ф, падающего на светочувствительную площадку фотодиода. [12]

Фототок измеряется гальванометром G. Частота света в обоих случаях одинакова. Существование фототока в области отрицательных напряжений от 0 до - U0 объясняется тем, что фотоэлектроны, выбитые светом из катода, обладают отличной от нуля начальной кинетической энергией. За счет уменьшения этой энергии электроны могут совершать работу против сил задерживающего электрического поля в трубке и достигать анода. [13]

Фототок измеряется гальванометром G. Частота света в обоих случаях одинакова. Существование фототока в области отрицательных напряжений от 0 до - Ua объясняется тем, что фотоэлектроны, выбитые светом из катода, обладают отличной от нуля начальной кинетической энергией. За счет уменьшения этой энергии электроны могут совершать работу против сил задерживающего электрического поля в трубке и достигать анода. [14]

Спектральные характеристики ФС-А1.| Вольтамперные характеристики сернисто-свинцовых фотосопротивло-ний при различных световых потоках.| Частотные характеристики фотосопротивлений. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5 6