Cтраница 5
![]() |
Схема фотоэлектрического блока. [61] |
Фототок, возникающий в фотоэлементе, создает на нагрузочном сопротивлении 8 напряжение, абсолютная величина которого у разных экземпляров фотоэлементов колеблется в пределах 12 - 18 мв. [62]
![]() |
Зависимость фототока от разности потенциалов между электродами. [63] |
Фототок строго пропорционален интенсивности света. Это было установлено путем изменения интенсивности света колибро-ванными проволочными сетками, помещенными между искрой и трубкой. [64]
Фототоки возникают и без приложенного напряжения; последнее необходимо лишь для того, чтобы ускорить вылет электронов. [65]
![]() |
Яркостная характеристика полупроводникового излучающего диода на основе арсенида галлия при различных температурах. [66] |
Фототок соответствует прохождению через фоторезистор и через внешнюю цепь I n / q электронов. [67]
![]() |
Схема регистрации световых потоков ог двух сравниваемых линий. [68] |
Фототоки сравнивают при помощи этого потенциометра. Изменяя сопротивления 5 и 6, добиваются того, чтобы ток от фотоэлементов 3 и 3, регистрируемый гальванометром 7, был равен нулю. Его положение отсчитывают по шкале. [69]
Фототок поступает на вход усилителя постоянного тока. [70]
Фототок изменяет свое направление, когда меняется положение световой точки относительно границы зерен. В отличие от рассмотренных структур, фототок возрастает при приближении светового зонда к дислокационной границе и, достигнув максимального значения, меняет знак, вновь сильно возрастая. [71]
![]() |
Вольт-амперные характеристики германиевого тотранзистор. [72] |
Фототоки / кф и / Эф отличаются от первичных фототоков / кф и / эф тем, что они являются токами короткого замыкания коллекторного и jmA эмиттерного переходов в режиме холостого хода эмиттера и коллектора соответственно. [73]
Фототок в цепи кристалла пропорционален световому потоку. [74]
![]() |
Схема устройства и включения дифференциального фотоэлектрического преобразователя с двумя фотоэлементами. [75] |