Полевой фототранзистор
Cтраница 1
Полевой фототранзистор - это прибор, фоточувствительный элемент которого содержит структуру полевого транзистора. [1]
 |
Структура полевого фототранзистора. [2] |
Полевой фототранзистор с р - n - переходом в функциональном отношении основан на управлении размерами токопроводящей области канала посредством изменения напряженности поперечно приложенного электрического поля и освещенности. Проводимость канала определяется основными носителями заряда. [3]
 |
Устройство ( а, схема включения ( б и вольт-амперные характеристики ( в биполярного фототранзистора. [4] |
Полевой фототранзистор - фототранзистор, фоточувствительный элемент которого содержит структуру полевого транзистора. [5]
Полевой фототранзистор выполняется с управляющим р-п переходом и как обычный полевой транзистор имеет три электрода: ИСТОК, СТОК И затвор. Объем полупроводника между стоком и ис-током образует проводящий канал. Затвор отделен от канала р-п переходом, область объемного заряда которого модулируется потенциалом затвор - исток. [6]
 |
Структура полевого фототранзистора. [7] |
Структура полевого фототранзистора показана на рис. 4.8. Он состоит из полупроводникового бруска с омическими контактами на концах и р - re - переходом а боковой грани. Боковой р - я-переход ( затвор) включается в обратном направлении. Ток между омическими контактами, один из которых называется истоком ( И), а другой - стоком ( С), протекает по каналу, остающемуся между областью объемного заряда и противоположной гранью бруска. [8]
Параметры полевого фототранзистора аналогичны по физическому смыслу параметрам биполярного. [9]
Устройство и схема включения полевого фототранзистора с управляющим р - - переходом показаны на рис. 7.20, а, где / - просветляющее покрытие; 2 - диэлектрический слой; 3 - область истока п - типа; 4 - канал - типа; 5 - область затвора р-типа; 6 - стоковая область п - типа; 7 - выводы прибора; Rn-резистор нагрузки в цепи затвора; Rn. [10]
Пороговый поток или пороговая мощность полевого фототранзистора меньше, чем биполярного, так как уровень собственных шумов на частотах 1 - 10 МГц невелик. [11]
При этом потенциал затвора возрастает и полевой фототранзистор открывается. [12]
В качестве фотоприемников также могут быть использованы полевые фототранзисторы. [13]
 |
Структура и схема включения фототиристора [ IMAGE ] - 14. Вольт-амперные характеристики фототиристора. [14] |
Кроме биполярных фототранзисторов в качестве приемников излучения используются и полевые фототранзисторы. На рис. 23 - 12 показан полевой фототранзистор с каналом n - типа. При облучении и-канала в нем и в прилегающей к нему р-области ( затвора) генерируются электроны и дырки. Переход между л-каналом и / - областью находится под обратным напряжением, и поэтому под действием поля этого перехода происходит разделение носителей заряда. В результате возрастает концентрация электронов в л-канале, уменьшается его сопротивление и увеличивается концентрация дырок в / - области. Ток канала ( ток стока) возрастает. Кроме того, возникает фототек в цепи затвора. Этот ток создает падение напряжения на резисторе R3, за счет чего уменьшается обратное напряжение на управляющем переходе канал - затвор. Это, в свою очередь, приводит к увеличению толщины канала, а следовательно, к дополнительному уменьшению его сопротивления и возрастанию тока стока. Таким образом осуществляется управление током стока с помощью света. [15]
Страницы: 1 2