Полевой фототранзистор - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Когда ты по уши в дерьме, закрой рот и не вякай. Законы Мерфи (еще...)

Полевой фототранзистор

Cтраница 2


Фототранзистор - транзистор, в котором используется фотоэлектрический эффект. Используются биполярные и полевые фототранзисторы.  [16]

17 Включение полевого фототранзистора в цепь усилителя с общим истоком ( а и его вольт-амперная характеристика ( б.| Схема включения фототиристора для коммутации внешней цепи ( а, вольт-амперные характеристики ( б и условное графическое обозначение фототиристора ( в. [17]

Граничная частота полевого транзистора определяется инерционностью фотодиода в области затвора и временем пролета носителей заряда через канал; это время находится в интервале 10 6 - 10 - 9 с. Фоточувствительность полевых фототранзисторов значительно выше, чем у биполярных, и достигает значений до 10 А / лм. Фототранзисторы служат для приема, преобразования и усиления светового сигнала.  [18]

Недостатком фототранзисторов является относительно высокий уровень собственных шумов. В последние годы разработаны полевые фототранзисторы, сочетающие в себе свойства фотодиода, роль которого играет р-я-затвор, и полевого транзистора. Эти приборы отличаются низким уровнем собственных шумов и высоким отношением фототока к темновому току.  [19]

20 Структура кремниевого плаиар - [ IMAGE ] Конструкции фотогран-ного фототранзистора зисторов. [20]

Так как толщина базы мала, го обеспечивается не только большая величина коэффициента передачи тока р, но и высокая граничная частота. По планарной технологии изготовляют и полевые фототранзисторы.  [21]

Недостатком фототранзисторов является высокий уровень собственных шумов. В последнее время начали выпускать полевые фототранзисторы, в которых роль фотодиода играет p - n - затвор. Эти приборы отличаются низким уровнем собственных шумов.  [22]

23 Структура и схема включения фототиристора [ IMAGE ] - 14. Вольт-амперные характеристики фототиристора. [23]

Кроме биполярных фототранзисторов в качестве приемников излучения используются и полевые фототранзисторы. На рис. 23 - 12 показан полевой фототранзистор с каналом n - типа. При облучении и-канала в нем и в прилегающей к нему р-области ( затвора) генерируются электроны и дырки. Переход между л-каналом и / - областью находится под обратным напряжением, и поэтому под действием поля этого перехода происходит разделение носителей заряда. В результате возрастает концентрация электронов в л-канале, уменьшается его сопротивление и увеличивается концентрация дырок в / - области. Ток канала ( ток стока) возрастает. Кроме того, возникает фототек в цепи затвора. Этот ток создает падение напряжения на резисторе R3, за счет чего уменьшается обратное напряжение на управляющем переходе канал - затвор. Это, в свою очередь, приводит к увеличению толщины канала, а следовательно, к дополнительному уменьшению его сопротивления и возрастанию тока стока. Таким образом осуществляется управление током стока с помощью света.  [24]

Фототранзистор - это управляемый излучением прибор с двумя или большим числом взаимодействующих между собой электрических переходов. Его применяют в качестве чувствительного к излучению элемента оптоэлектронных пар и фотоприемных устройств, первичного преобразователя измерительных информационных систем, элемента приемного модуля волоконно-оптических линий связи средней пропускной способности и др. Различают биполярные и полевые фототранзисторы. К фототранзисторам также относится фототиристор.  [25]

26 Спектральные характеристики вентильных фотоэлементов и фотодиодов, изготовленных на различных полупроводниковых материалах.| Конструкция ( а и экпивалентное представление ( б биполярного фототранзистора. [26]

Для увеличения уровня электрического сигнала, создаваемого фотоэлектрическим датчиком, создан ряд приборов, в которых происходит усиление первичного сигнала. К их числу относятся лавинный фотодиод, биполярный фототранзистор, полевой фототранзистор и фототиристор.  [27]

28 Зависимость интегральной. [28]

Важным параметром является темновой ток. Величина его, как правило, не превышает десятков микроампер для германиевых фототранзисторов и единиц микроампер для кремниевых. При работе в микрорежиме чувствительность резко падает. А / лм, а у полевых фототранзисторов составляет от десятков до сотен ампер на люмен.  [29]



Страницы:      1    2