Биполярный фототранзистор

Cтраница 2

Чаще всего биполярный фототранзистор изготавливают как обычный плоскостной транзистор из германия или кремния ( см. § 5.1), но с двумя выводами - коллекторным и эмиттерным. [16]

Структура и схема включения фототиристора [ IMAGE ] - 14. Вольт-амперные характеристики фототиристора. [17]

Кроме биполярных фототранзисторов в качестве приемников излучения используются и полевые фототранзисторы. На рис. 23 - 12 показан полевой фототранзистор с каналом n - типа. При облучении и-канала в нем и в прилегающей к нему р-области ( затвора) генерируются электроны и дырки. Переход между л-каналом и / - областью находится под обратным напряжением, и поэтому под действием поля этого перехода происходит разделение носителей заряда. В результате возрастает концентрация электронов в л-канале, уменьшается его сопротивление и увеличивается концентрация дырок в / - области. Ток канала ( ток стока) возрастает. Кроме того, возникает фототек в цепи затвора. Этот ток создает падение напряжения на резисторе R3, за счет чего уменьшается обратное напряжение на управляющем переходе канал - затвор. Это, в свою очередь, приводит к увеличению толщины канала, а следовательно, к дополнительному уменьшению его сопротивления и возрастанию тока стока. Таким образом осуществляется управление током стока с помощью света. [18]

Структура и схема включения фототиристора [ IMAGE ] - 14. Вольт-амперные характеристики фототиристора. [19]

Помимо рассмотренного биполярного фототранзистора применяются и другие, Составной фототранзистор представляет собой фототранзистор, соединенный с обычным транзистором. В результате интегральная чувствительность у составного фототранзистора получается в десятки раз больше, чем у обычного, и в тысячи раз больше, чем у фотодиодов. Высокая чувствительность и хорошее быстродействие достигаются при сочетании фотодиода с высокочастотным транзистором. [20]

Большинство параметров биполярного фототранзистора аналогично по физическому смыслу параметрам фотодиодов. Кроме того, фототранзистор характеризуется рабочим напряжением питания, емкостями переходов Ск и Сэ, статическим коэффициентом усиления по току и другими параметрами обычного транзистора. [21]

Эмиттерный переход биполярного фототранзистора включен в прямом направлении. [22]

Вольт-амперные характеристики биполярного фототранзистора ( рис. 8.6, в) аналогичны выходным характеристикам обычного транзистора с ОЭ. [23]

Энергетическая диаграмма фототранзистора без освещения ( а и при освещении ( 6.| Структура фототиристора. [24]

Таким образом, биполярный фототранзистор обладает наибольшей чувствительностью к облучению светом базовой области при включении по схеме с общим эмиттером и отключенной базе. [25]

Устройство и схема включения биполярного фототранзистора показаны на рис. 7.17, а. Пассивная часть базы расположена на рис. 7.17, а слева от штрихпунк-тирной линии. [26]

Структура и схема включения фототранзистора со свободной базой.| Выходные характеристики фототранзистора [ IMAGE ] - 12. Структура и схема включения полевого фототранзистора с каналом п-типа. [27]

Значительно выше по сравнению с фотодиодами интегральная чувствительность у фототранзисторов. Биполярный фототранзистор представляет собой обычный транзистор, в корпусе которого сделано прозрачное окно, через которое световой поток может воздействовать на область базы. Как обычно, на эмиттерном переходе напряжение прямое, а на коллекторном - обратное. [28]

Это объясняется наличием большой емкости эмиттер-ного перехода. Параметры биполярных фототранзисторов, так же как фотодиодов, сильно зависят от температуры. [29]

Типичные выходные характеристики фототранзисторов. [30]

Страницы: 1 2 3