Биполярный фототранзистор
Cтраница 3
При работе в микрорежиме чувствительность резко падает. Интегральная чувствительность биполярных фототранзисторов достигает 24 - 10 А / лм, а у канальных фототранзисторов составляет от десятков до сотен ампер на люмен. [31]
Однако биполярный фототранзистор обычно применяют при включении его по схеме с общим эмиттером. Поэтому рассмотрим принцип действия биполярного фототранзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. Накопление в базе неравновесных основных носителей заряда понижает высоту потенциальных барьеров эмиттерного и коллекторного переходов. [32]
Однако биполярный фототранзистор обычно применяют при включении его по схеме с общим эмиттером. Поэтому рассмотрим принцип действия биполярного фототранзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. Накопление в базе неравновесных основных носителей заряда понижает высоту потенциальных барьеров эмиттерного и коллекторного переходов. Соответственно возрастает и ток коллектора. [33]
Однако биполярный фототранзистор обычно применяют при включении его по схеме с общим эмиттером. По-этому рассмотрим принцип действия биполярного фототранзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. Накопление в базе неравновесных основных носителей заряда понижает высоту потенциальных барьеров эмиттерного и коллекторного переходов. Соответственно возрастает и ток коллектора. [34]
При малых уровнях светового потока ток стока близок к нулю, так как транзистор практически заперт, А при очень больших потоках напряжение на затворе почти перестает влиять на ток стока. Фототранзисторы способны работать при большой частоте модуляции светового потока; Быстродействие биполярных фототранзисторов будет зависеть от скорости изменения напряжения 1 / эъ и времени пролета неосновных носителей через базу. [35]
Биполярный фототранзистор может быть включен в схему по-разному. Если подать напряжение между базой и коллектором, сместив коллекторный переход в обратном направлении и оставив эмит-терный вывод неподключенным к схеме, то такое включение биполярного фототранзистора ничем не будет отличаться от схемы включения фотодиода. [36]
Биполярный фототранзистор может быть включен в схему по-разному. Если подать напряжение между базой и коллектором, сместив коллекторный переход в обратном направлении и оставив эмиттерный вывод неподключенным к схеме, то такое включение биполярного фототранзистора ничем не будет отличаться от схемы включения фотодиода. [37]
Для увеличения уровня электрического сигнала, создаваемого фотоэлектрическим датчиком, создан ряд приборов, в которых происходит усиление первичного сигнала. К их числу относятся лавинный фотодиод, биполярный фототранзистор, полевой фототранзистор и фототиристор. [39]
Вольт-амперные характеристики биполярного фототранзистора ( рис. 8.6, в) аналогичны выходным характеристикам обычного транзистора с ОЭ. Энергетические характеристики I - f ( 0) для биполярного фототранзистора линейны. [40]
Достоинством канального фототранзистора является высокое входное сопротивление ( примерно 106 Ом), так как р - л-переход включен в обратном направлении. Вследствие этого могут быть достигнуты хорошие пороговые характеристики. Существенным свойством является слабая температурная зависимость крутизны, более высокая радиационная стойкость по сравнению с биполярными фототранзисторами за счет меньшего влияния снижения времени жизни и подвижности неосновных носителей. [41]
Световой поток Ф падает на базовую область, поэтому эмиттер делают тонким и небольших размеров. Под действием фотонов в базе образуются новые пары носителей заряда - электроны и дырки. Электроны, остающиеся в базе, воздействуют на эмиттер-ный переход, уменьшая высоту потенциального барьера, что способствует переходу дырок из эмиттера в базу. Эти дырки движутся через базу на коллектор, вызывая усиление фототока. Для регулирования чувствительности в базовую цепь иногда включают напряжение смещения. Чувствительность биполярного фототранзистора значительно выше чувствительности фотодиода и составляет 0 5 - 1 А / лм. [42]
Страницы: 1 2 3