Запирающий импульс

Cтраница 1

Запирающий импульс, задержанный с помощью калиброванной линии задержки на некоторое время, подается через резистор 3 на туннельный диод. [1]

Когда запирающий импульс исчезает, то конденсатор С быстро разряжается через эмиттер IITi, потенциал базы которого в это время равен нулю. Источники напряжения - 1 5 в служат для ограничения нижнего уровня напряжения диодов Д - L путем подачи на его катод запирающего напряжения. [2]

Длительность запирающего импульса на базе транзистора Т должна быть равна требуемой длительности рабочего хода пилообразного напряжения. [3]

Амплитуда запирающего импульса / упробр фиксируется по показаниям ИПТ2 и определяется потенциалом сетки Л & который изменяется регулирующим устройством. [4]

Широтно-импульсный модулятор. [5]

Для создания запирающего импульса последовательно с выходным напряжением МУС ВВ ДЯТ встречное постоянное напряжение смещения в ( рис. 9.8, а), создаваемое двухполупериодным выпрямителем В. [6]

Под действием запирающего импульса ток коллектора начинает уменьшаться. Поскольку диод остается пока открытым, приращения Д / к по-прежнему идут через диод в цепь базы и накладываются на исходный импульс А /, поэтому ток базы постепенно начинает уменьшаться. [7]

Под действием запирающего импульса количество дырок, поступающих в единицу времени из эмиттера в базу, а следовательно, и ток коллектора непрерывно уменьшаются. [8]

С приходом запирающего импульса диод Д запирается, за счет чего транзистор отделяется от источника Е3 и цепи запуска. [9]

При подаче запирающего импульса базового тока / 62 коллекторный ток и напряжение на коллекторе в течение некоторого времени не изменяются, и транзистор остается полностью открытым. Только после рассасывания избыточного заряда дырок за счет отрицательного базового тока транзистор входит в активный режим, и ток коллектора начинает уменьшаться, а напряжение на коллекторе возрастать. На рис. 7.9, б показано, что процесс рассасывания представляется изменением тока ( заряда) от величины p / ei до / кн. Это изменение происходит по экспоненциальному закону с постоянной времени TI, которая определяется в режиме инверсного включения транзистора. При инверсном включении коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер - роль коллектора. [10]

Зависимость относительной продолжительности включения восстановления и запирания от коэффициентов форсировки. [11]

Однако момент подачи запирающего импульса не совпадает с моментом начала уменьшения коллекторного тока триода. Это происходит благодаря избыточной концентрации неосновных носителей в базе насыщенного триода. [12]

Зависимость BN от тока базы и напряжения коллектора для триодов типа ГП6 и П402. [13]

Постепенно увеличивая амплитуду запирающего импульса - стремятся получить выброс с амплитудой, на Ю-20 % превышающей - насыщение коллектора / нк - После этого с помощью осциллографа измеряют величи -, ну / к. Для дрейфовых триодов это отношение и в импульсном режиме оказывается значительно меньше единицы. [14]

С ростом амплитуды запирающего импульса длительности ( г и / 2 уменьшаются, а заряд переключения и амплитуда обратного тока возрастают. Особенно сильное увеличение величин Qn и / в наблюдается у точечных диодов, для которых оно почти прямо пропорционально росту амплитуды запирающего импульса ыимп. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5