Запирающий импульс

Cтраница 3

Схема ударного возбуждения колебательного контура.| Процессы, происходящие в схеме ударного возбуждения контура. а - запирающее напряжение на. [31]

Кроме того, продолжительность переднего фронта гф запирающего импульса должна быть значительно меньше периода колебаний ( тф0 257), так как в противном случае колебания могут не возбудиться. Продолжительность tz-ti запирающего импульса выбирается в зависимости от поставленной задачи. [32]

Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня, равного Энас 0 1 At /, называется временем рассасывания / рас. К моменту времени / б избыточный заряд удаляется, транзистор переходит из режима насыщения в активный режим, начинается спад коллекторного тока и повышение выходного напряжения. [33]

Упрощенная схема калибратора длительности С1 - 5 ( СИ-1. [34]

&, поддерживает колебания на протяжении длительности запирающего импульса. Шунтирующие резисторы iR ( на полной схеме 5о - 5э) выравнивают амплитуду генерируемых колебаний. [35]

После того как на входе заканчивается действие запирающего импульса, триод запирается и напряжения на коллекторе и базе по-степенно достигают значений, соответствующих исходному состоянию. [36]

Время прямого перемагничивания, в течение которого действует запирающий импульс, определится как / р / у, так как после перехода пилообразного напряжения на восходящий участок устройство сравнения А продолжает оставаться в том же состоянии. [37]

Интервал времени между моментом подачи на вход транзистора запирающего импульса и моментом, когда ток коллектора достигнет заданного уровня ( например 0 9 / кнас), называют временем рассасывания для биполярного транзистора ас. Интервал времени между моментом подачи на вход транзистора запирающего импульса и моментом, когда ток коллектора достигнет значения, соответствующего 10 % его амплитудного значения, называют временем выключения биполярного транзистора / выкл. [38]

Интервал времени между моментом подачи на вход транзистора запирающего импульса и моментом, когда ток коллектора достигнет заданного уровня ( например 0 9 / Кнас), называют временем, рассасывания для биполярного транзистора / рас. [39]

Процесс рассасывания имеет ту специфику, что поступление запирающего импульса A. ДЯб - Легко убедиться, что запирающий сигнал А. Поэтому при тех же значениях / д2 и Q ( 0) рассасывание в ключе-звезде происходит быстрее, чем в ключе ОЭ. [40]

Из этих выражений следует, что с увеличением запирающего импульса тока базы ( эмиттера) время рассасывания уменьшается. Такой вывод имеет большое практическое значение. [41]

Пояснительная диаграмма к параметрам скорости переключения транзистора. [42]

Время задержки выключения td определяется как время между подачей запирающего импульса на затвор и нарастания на 10 % относительно номинального значения напряжения на коллекторе. [43]

В отличие от импульсных усилителей радиотехнических и радиолокационных устройств скважность запирающих импульсов в усилителях систем автоматики изменяется в широких пределах. Межкаскадные связи этих усилителей должны обеспечить прохождение импульсов любой скважности без существенного изменения их амплитуды и формы. [44]

Резистор 3R13 и конденсатор ЗС14 устанавливают необходимую длительность плоской части запирающего импульса, определяющую время обратного хода. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5