Cтраница 2
Заряд комплексного аниона при заданной его электроотрицательности варьирует в зависимости от степени электроположительности катиона и, как отмечалось, достигает максимальной величины для цезия. Однако в отличие от бинарных фторидов изменение зарядового состояния, описываемое как примесь некоторой степени ковалентности, затрагивает не валентную оболочку отдельного иона фтора, а состояние комплекса в целом. Оттягивание электронной плотности в сторону менее электроположительных ионов, например Li, Na, должно идти за счет самых подвижных валентных электронов, вносящих основной вклад в возникновение экранирования комплексов. Влияние оттягивания будет, очевидно, неодинаковым для различной электронной конфигурации комплекса. Для d - и с - комплексов, выявляющих наибольшие сдвиги в сторону слабых полей, возрастание ионности связи анион - внешнесферный катион и заряда аниона при увеличении радиуса внешнесферного катиона должно повышать заселенность внешних орбиталей, величину парамагнитного тока и химического сдвига в сторону слабых полей. Поэтому для d - и - конфигураций вклады ковалентности и перекрывания складываются. [16]
При замещении кислорода роль фтористого водорода формально такова же, как и при обмене галогенами. На природу получаемого продукта оказывают заметное влияние условия проведения реакции. В качестве продуктов могут образовываться бинарные фториды, оксифториды, фторзамещенные кислоты или фтороокси-кислоты. [17]