Cтраница 3
![]() |
К примеру. [31] |
Для определения коэффициентов разложения ( вычетов) схемной функции иногда целесообразно воспользоваться графическим методом. [32]
В канонической системе сечений упрощенные выражения для схемных функций ( табл. 3.2) применимы, если схему можно привести к четырехполюснику с ко-роткозамкнутой стороной, у которого вход и выход имеют общий узел, являющийся одновременно базисным узлом. [33]
Теорема (3.84) позволяет получить ряд алгоритмов определения схемных функций в однородных системах координат, в которых матрица схемы выражается произведением матриц. В дальнейшем будем излагать только процедуру нахождения определителя матрицы схемы, так как она автоматически распространяется и на любые алгебраические дополнения, через которые выражается схемная функция. [34]
Например, при минимизации чувствительности вещественной координаты полюсов схемной функции повышается общая устойчивость характеристик схемы к вариациям параметров. [35]
Следующим преимуществом МДП-ИМС является стоимость на реализацию одной схемной функции, которая оказывается ниже, чем у биполярных ИМС. Малые размеры МДП-ИМС определяются малой площадью, занимаемой одной МДП-структурой ( около 6 - 10 - 4мм2), и использованием МДП-структур в качестве высокоомных резисторов вместо относительно крупногабаритных диффузионных резисторов. Площадь МДП-ИМС обычно составляет не более 20 % от площади, занимаемой биполярными полупроводниковыми ИМС той же функциональной сложности. [36]
Далее определяем схемную функцию полной схемы как произведение схемных функций ее отдельных каскадов и, воспользовавшись приведенными ранее правилами приближенного построения ЛАХ и ФЧХ, выполняем графические построения. [37]
С помощью энергетических функций могут быть установлены свойства схемных функций. [38]
Следующим преимуществом МДП-ИМС является стоимость на реализацию одной схемной функции, которая оказывается ниже, чем у биполярных ИМС. Малые размеры МДП-ИМС определяются малой площадью, занимаемой одной МДП-структурой ( около 6 45X Х10 - 4мм2) и использованием МДП-структур в качестве высокоом-ных резисторов вместо относительно крупногабаритных диффузионных резисторов. [39]
На втором этапе ( этапе реализации) по найденной схемной функции определяют схему и параметры цепи. [40]
Сравниваем степени полиномов числителя и знаменателя найденной и желаемой схемной функции. [41]
Как видно из табл. 3.1 и 3.2, нахождение схемных функций сводится к вычислению или раскрытию определителя и алгебраических дополнений матрицы схемы W. Соотношения для схемных функций получены в предположении, что W является матрицей КК-уравнений. Аналогично соотношения для других типов уравнений будут отличаться только видом преобразующих векторов. [42]
Отношения между токами и напряжениями на сторонах четырехполюсника называют схемными функциями. Для схем, не содержащих реактивных компонентов, отношения между токами и напряжениями выражаются вещественными числами. Поэтому их называют вторичными параметрами схемы. [43]
Отдельные интегральные схемы, изготовленные тем или иным способом и выполняющие определенные схемные функции, собираются затем в узел, а узлы в блоки или окончательные устройства. [44]
Отдельные интегральные схемы, изготовленные тем или иным способом и выполняющие определенные схемные функции, собираются затем в узел, а узлы в блоки или окончательные устройства. Компоновка интегральных схем во многом определяется ремонтоспособностью будущей системы. Поэтому требования надежности, предъявляемые к таким системам, особенно высоки. [45]